碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102427104A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102427104A(43)申请公布日2012.04.25(21)申请号201110330349.8(22)申请日2011.10.26(71)申请人深圳市迈克光电子科技有限公司地址518000广东省深圳市宝安区大浪街道华繁路嘉安达科技工业园二栋3楼(72)发明人陈苏南吉爱华(51)Int.Cl.H01L33/06(2010.01)H01L33/34(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法(57)摘要本发明公开了一种碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法，该白光LED包括从下至上依次设置的支架、支架电极、芯片、金线、荧光晶体、硅胶和透镜，上述芯片包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。本发明提供的碳化硅衬底白光LED，其显色性好、稳定性好、发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。CN10247ACCNN110242710402427112A权利要求书1/1页1.一种碳化硅衬底外延片，其特征在于，包括从下至上依次设置的SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层。2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底外延片，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。3.一种碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。4.根据权利要求3所述的碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。5.根据权利要求3或4所述的碳化硅衬底封装芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1～10um。6.一种碳化硅衬底白光LED，其特征在于，包括从下至上依次设置的支架、支架电极、芯片、金线、荧光晶体、硅胶和透镜，所述芯片包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。7.根据权利要求6所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述SiC衬底的厚度为50～200um；所述N-GaN接触层的厚度为200～1000nm；所述InGaN/GaN多量子阱发光层的厚度为1000～10000nm；所述P-GaN接触层的厚度为80～600nm。8.根据权利要求6或7所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述透明导电层的厚度为1～10um。9.根据权利要求8所述的碳化硅衬底白光LED，其特征在于，所述荧光晶体的厚度为100～2000um。10.一种碳化硅衬底白光LED工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：将SiC单晶基板放在托盘里送入外延炉，在1055～1065摄氏度下生长N-GaN接触层；以氮气为载体，在685-695摄氏度下生长InGaN/GaN多量子阱发光层；在995-1005摄氏度下生长P-GaN接触层，得到碳化硅衬底外延片；将生长好的外延片P-GaN接触层上方先做一层透明导电层，再在透明导电层上做上P电极，在SiC单晶基板的下方做上N极层，得到碳化硅衬底封装芯片；将所述碳化硅衬底封装芯片用自动共晶机将碳化硅衬底封装芯片固定在支架上，然后用自动焊线机进行焊线，芯片上方放上一块和碳化硅衬底封装芯片面积一样的荧光晶体，之后盖上透镜，配好硅胶，抽完真空后，用自动点胶机注入透镜内后，送入烘箱固化2小时，得到碳化硅衬底白光LED。2CCNN110242710402427112A说明书1/4页碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法技术领域[0001]本发明涉及LED照明技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法。背景技术[0002]白光LED具有节能、环保、寿命长、可以工作在高速状态等诸多优点，其用途越来越广，政府正大力推广。[0003]目前，通常采用蓝光LED激发黄色荧光粉来生产白光L