图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片.pdf
小凌****甜蜜
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图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片.pdf
本发明涉及一种图形化衬底、外延片、制作方法、存储介质及LED芯片,所述图形化衬底应用于MicroLED,由于其本体上设置有至少一个可容置至少一部分外延过程中掉落的外延材料的容置槽。本发明所提供的图形化衬底,在MOCVD炉内高速旋转成型外延层的过程中所产生的多余外延材料,至少一部分可掉落至容置槽内,而不会残留在外延层上,改善了外延层厚度不均匀的问题,进而提高了波长均匀性,即本发明所提供的图形化衬底至少改善了波长不均匀的问题。
LED外延片衬底结构及制作方法.pdf
本申请公开了一种LED外延片衬底结构及制作方法,结构包括蓝宝石衬底、三角锥凸起、介质层、以及AlN膜层,其中,蓝宝石衬底包括第一表面和第二表面,第一表面上设有阵列排布的三角锥凸起,任意两个三角锥凸起之间为开口区;在第一表面远离第二表面的一侧设有介质层,介质层覆盖三角锥凸起及开口区;在开口区的介质层远离第二表面的一侧设有AlN膜层。通过在包含阵列排布的三角锥凸起的蓝宝石衬底上设置介质层,可以有效杜绝pss侧壁生长的现象,提升了结晶质量,从而提高了出光效率。AlN膜层仅覆盖在开口区处的介质层上,发挥了AlN与
碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅衬底外延片、封装芯片、白光LED及工艺方法,该白光LED包括从下至上依次设置的支架、支架电极、芯片、金线、荧光晶体、硅胶和透镜,上述芯片包括从下至上依次设置的N极层、SiC衬底、AiN过渡层、N-GaN接触层、InGaN/GaN多量子阱发光层、P-GaN接触层、透明导电层、P电极。本发明提供的碳化硅衬底白光LED,其显色性好、稳定性好、发光质量好,提高了工作稳定性和使用寿命,减少了封装工序,可以使白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化,生产效率高,适于大批量生产。
图形化衬底及制备方法以及包含该衬底的外延结构和芯片.pdf
本发明涉及半导体技术领域,公开了一种图形化衬底及制备方法以及包含该衬底的外延结构和芯片,衬底包括:衬底本体,以及衬底本体的上表面完全包覆的过渡层;所述凸起结构包括从下至上依次设置的底部图案层、中部多介质薄膜层和顶部低折射材料层。本发明通过设置周期性的多层介质薄膜层,进一步优化外延层与衬底界面的反射率,提升LED的光效水平,同时通过顶部低折射材料层与过渡层的双重保护,解决介质膜高温清洗过程脱漏与MOCVD高温生长过程中黑化的问题,实现高光效的LED外延片和芯片。
LED倒装芯片的图形化衬底及制备方法.pdf
一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法,所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法,包括:在基本衬底的正面形成保护层,并在所述基本衬底的背面形成掩膜层;将所述掩膜层图形化,形成掩膜图形;刻蚀所述基本衬底的背面,将所述掩膜层的图形转移到所述基本衬底的背面,形成图形化结构层;去除残留的所述掩膜层和所述保护层,形成图形化衬底。本发明可在有效提高LED光提取效率的同时,避免图形化过程对外延层及LED芯片带来沾污和损伤,降低流片工艺复杂程度。