制造半导体发光器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103975451103975451A(43)申请公布日2014.08.06(21)申请号201380004186.1地址韩国京畿道(22)申请日2013.07.18(72)发明人全水根朴恩铉金勈德(30)优先权数据(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限10-2012-00782742012.07.18KR公司1112710-2012-00830922012.07.30KR代理人吕俊刚刘久亮10-2012-00984202012.09.05KR(51)Int.Cl.10-2012-00984112012.09.05KRH01L33/36(2006.01)10-2012-00982562012.09.05KRH01L33/46(2006.01)10-2012-00982612012.09.05KR10-2012-00984072012.09.05KR10-2012-01007932012.09.12KR10-2013-00029472013.01.10KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.06(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2013/0064572013.07.18(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/014298KO2014.01.23(71)申请人世迈克琉明有限公司权权利要求书1页利要求书1页说明书25页说明书25页附图25页附图25页(54)发明名称制造半导体发光器件的方法(57)摘要本发明涉及一种制造半导体发光元件的方法，该方法包括：形成要与第二半导体层电连通的分支电极；以及在该分支电极上形成由多个电介质膜构成的不导电反射膜，以从有源层向在生长衬底侧的第一半导体层反射光，其包括通过化学气相沉积形成底层，以及通过物理气相沉积形成至少两个层，其中，该底层的厚度比底层上方层压的所述至少两个层中的每个的厚度厚；以及形成电连接件，该电连接件贯穿该不导电反射膜并且与该分支电极电连接。CN103975451ACN1039754ACN103975451A权利要求书1/1页1.一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括以下步骤：制备在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的、经由电子-空穴复合产生光的有源层；形成指状电极，使得可与所述第二半导体层电连通；在所述指状电极上形成由多层电介质膜组成的不导电反射膜，以从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，其中，所述不导电反射膜被形成为，使得通过化学气相沉积获得的底层具有比通过物理气相沉积获得的要沉积在所述底层上的两个或更多个层中的每个的厚度大的厚度；以及形成电连接件，所述电连接件穿过所述不导电反射膜并电连接到所述指状电极。2.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述化学气相沉积是等离子体增强化学气相沉积。3.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述物理气相沉积是从电子束沉积和溅射中选择的任一种。4.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述底层是SiO2。5.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，至少两个层包括TiO2。6.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，至少两个层包括由SiO2和TiO2组成的分布式布拉格反射器。7.根据权利要求2所述的制造半导体发光器件的方法，其中，至少两个层包括由SiO2和TiO2组成的分布式布拉格反射器。8.根据权利要求7所述的制造半导体发光器件的方法，其中，所述化学气相沉积是等离子体增强化学气相沉积，并且所述物理气相沉积是从电子束沉积和溅射中选择的任一种。9.根据权利要求1到8中的任何一项所述的制造半导体发光器件的方法，该方法还包括以下步骤：在所述不导电反射膜上形成要与所述电连接件连接的金属层。10.根据权利要求9所述的制造半导体发光器件的方法，在形成不导电反射膜的步骤之前还包括以下步骤：在通过蚀刻露出的所述第一半导体层上形成电极。11.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在形成指状电极的步骤中，由不同于Au的金属形成所述指状电极的所述顶层。12.根据权利要求1所述的制造半导体发光器件的方法，其中，在形成指状电极的步骤中，由从Ni、Ti、W、TiW、Cr、Pd和Mo中选择的金属形成所述指状电极的所述顶层。2CN103975451A说明书1/25页制造半导体发光器件的方法技术领域[0001]本公开(disclosure)总体上涉及制造半导体发光器件的方法，并且更具体地，涉及一种用于