半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102194986102194986B(45)授权公告日2014.10.29(21)申请号201010275105.XUS2009/0101929A1,2009.04.23,说明书第0002-0042段，附图1-8.(22)申请日2010.09.06US2009/0101929A1,2009.04.23,说明书第(30)优先权数据0002-0042段，附图1-8.052209/20102010.03.09JP审查员赵煜(73)专利权人株式会社东芝地址日本东京都(72)发明人后藤田徹名古肇冈俊行财满康太郎布上真也(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人杨晓光于静(51)Int.Cl.H01L33/54(2010.01)(56)对比文件TW200629605A,2006.08.16,说明书第2行至倒数第2行，附图12.JP2008-288539A,2008.11.27,JP2008-300621A,2008.12.11,JP2008-297373A,2008.12.11,权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图3页附图3页(54)发明名称半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法(57)摘要本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。CN102194986BCN1029486BCN102194986B权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件，包括：支撑衬底；发光元件，其包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层；以及底部填充材料，其在层叠方向上被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部在所述支撑衬底的表面方向上被设置在所述发光元件的侧面的外侧而不接触所述发光元件的所述侧面，以围绕所述发光元件的所述侧面。2.根据权利要求1的器件，还包括包含荧光剂材料的第一树脂，所述第一树脂被设置在所述底部填充材料上和所述肋部的内侧以至少覆盖所述发光元件的所述端面的一部分。3.根据权利要求2的器件，还包括封装，所述封装覆盖所述发光元件的所有表面和所述肋部的外侧端面的内侧，所述封装由包含荧光剂材料的第二树脂材料构成。4.根据权利要求1的器件，其中所述底部填充材料为具有D60到D85的硬度和0.8到14Pa·s的粘度的基于环氧的树脂。5.根据权利要求1的器件，其中所述肋部具有锥形形状，在所述锥形形状中所述肋部的截面积朝向所述发光元件连续变小。6.根据权利要求1的器件，其中所述肋部的内侧壁被设置为与所述发光元件的侧壁平行相对。7.根据权利要求1的器件，其中所述底部填充材料被紧密地设置到所述支撑衬底、所述凸起和所述发光元件。8.根据权利要求1的器件，其中所述发光元件包括p型电极和n型电极，所述p型电极和所述n型电极均被设置在所述支撑衬底的相反的表面中的一个表面上或另一个表面上，所述p型电极和所述n型电极通过分离的凸起而与所述支撑衬底接触。9.根据权利要求1的器件，其中在所述发光元件的与所述支撑衬底相反的表面上设置经粗糙处理的光提取表面。10.一种半导体发光器件的制造方法，包括以下步骤：在剥离目标衬底上形成基于氮化物的III-V族化合物半导体层；以发光器件为单位使所述剥离目标衬底和所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层孤立化以形成多个发光元件；用保护膜覆盖所述发光元件的所有端面，同时使所述多个发光元件与片材料接触；从被所述保护膜覆盖的所述发光元件去除所述片材料，然后通过凸起使所述发光元件中的所述基于氮化物的III-V族化合物半导体层与支撑衬底接触；用底部填充材料覆盖从所述支撑衬底的表面到所述保护膜的侧面的至少一部分的区域；去除所述保护膜以通过所述底部填充材料形成肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的侧面的外侧而不接触所述发光元件的所述侧面，以围绕所述发光元件的所述端面；通过激光剥离而剥离所述剥离目标衬底；以及粗糙蚀刻所述发光元件的与所述剥离目标衬底接触的表面。11.根据权利要求10的方法，其中所述底部填充材料的内侧壁面与所述发光元件的所述端面之间的间隔依赖于所述保护膜的厚度。2CN102194986B权利要求书2/2页12.根据权利要求10的方法，其中分别选择所述保护膜的材料和所述底部填充材料，以便在去除所述保护膜时不去除所述底部填充材料。13.根据权利要求