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制造半导体发光器件的方法.pdf
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半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法.pdf
本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。
2023-06-14
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一种制造半导体发光器件的方法，该方法在干法蚀刻工艺之后进行湿法蚀刻工艺，以便在用于生长氮化物半导体材料的基板的表面形成突起。该方法包括：用光刻胶涂覆基板；通过有选择地去除光刻胶来在基板上形成掩模图案；通过使用蚀刻气体对具有掩模图案的基板进行干法蚀刻来在基板上形成突起；通过使用蚀刻溶液来对被干法蚀刻的基板进行湿法蚀刻；在包括突起的基板上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成有源层；在有源层上形成第二半导体层；对有源层和第二半导体层的预定部分进行蚀刻，直至暴露出第一半导体层为止；以及在第一半导体层的没有形成有
2024-01-04
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制造半导体发光器件的方法.pdf
本发明涉及一种制造半导体发光元件的方法，该方法包括：形成要与第二半导体层电连通的分支电极；以及在该分支电极上形成由多个电介质膜构成的不导电反射膜，以从有源层向在生长衬底侧的第一半导体层反射光，其包括通过化学气相沉积形成底层，以及通过物理气相沉积形成至少两个层，其中，该底层的厚度比底层上方层压的所述至少两个层中的每个的厚度厚；以及形成电连接件，该电连接件贯穿该不导电反射膜并且与该分支电极电连接。
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半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件适于包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层。所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且适于反射所述紫外光，且所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成。外部基板的与封装构件的下表面接触的平坦区域
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本发明公开了一种能改善电流分布的半导体发光器件及其制造方法，其中所述半导体发光器件包括基板；在所述基板上的N型氮化物半导体层；在所述N型氮化物半导体层上的有源层；在所述有源层上的P型氮化物半导体层；在所述P型氮化物半导体层中的沟槽以在所述P型氮化物半导体层中形成预定图案；在所述沟槽中的透明非导电材料的光导；和在具有所述光导的P型氮化物半导体层上的透明电极层。
2024-01-04
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