半导体发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110197864A(43)申请公布日2019.09.03(21)申请号201910140687.1(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司1(22)申请日2019.02.261127代理人刘久亮黄纶伟(30)优先权数据10-2018-00230402018.02.26KR(51)Int.Cl.10-2018-00250572018.03.02KRH01L33/48(2010.01)10-2018-00250562018.03.02KRH01L33/60(2010.01)10-2018-00250552018.03.02KRH01L33/62(2010.01)10-2018-00331572018.03.22KR10-2018-00505702018.05.02KR10-2018-00505692018.05.02KR10-2018-00505682018.05.02KR10-2018-00505662018.05.02KR(71)申请人世迈克琉明有限公司地址韩国京畿道(72)发明人金炅珉金奉焕韩定佑权利要求书1页说明书27页附图17页(54)发明名称半导体发光器件及其制造方法(57)摘要半导体发光器件及其制造方法。公开了一种半导体发光器件，其包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括适于通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件适于包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层。所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且适于反射所述紫外光，且所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成。外部基板的与封装构件的下表面接触的平坦区域部分比外部基板的与封装构件的下表面没有接触的平坦区域部分小。CN110197864ACN110197864A权利要求书1/1页1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：半导体发光器件芯片，该半导体发光器件芯片包括多个半导体层以及电连接到所述多个半导体层的电极，所述多个半导体层包括被配置为通过电子和空穴的复合产生紫外光的有源层；封装构件，该封装构件被配置为包围所述半导体发光器件芯片；以及外部基板，该外部基板包括底座以及电连接到所述半导体发光器件芯片的电极的导电层，其中，所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且被配置为反射所述紫外光，所述导电层的一个表面由UV反射率小于90％的物质制成，并且其中，所述外部基板的与所述封装构件的下表面接触的平坦区域部分比所述外部基板的不与所述封装构件的所述下表面接触的平坦区域部分小。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且被配置为反射所述紫外光，所述导电层的一个表面由UV反射率为40％或更小的物质制成。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述导电层被布置在所述封装构件的内部并且被配置为反射所述紫外光，所述导电层的一个表面由Au制成。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述外部基板包括布置在距所述导电层预定距离处的具有闭环形状的屏障件，并且其中，所述屏障件的上表面与所述封装构件的所述下表面接触。5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，所述屏障件被布置在所述封装构件的内部并且被配置为反射所述紫外光，所述屏障件的一个表面由UV反射率为40％或更小的物质制成。6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述导电层和所述屏障件被布置在所述封装构件的内部并且被配置为反射所述紫外光，所述导电层和所述屏障件各自的一个表面由相同金属物质制成。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述封装构件由具有至少80％的UV透射率的热塑性树脂制成。8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其中，所述热塑性树脂在用于使液相的所述热塑性树脂凝固的热固化处理期间经历至少90％的体积减小。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述封装构件具有半球形的透镜形状。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述半导体发光器件芯片是发射UV-C的倒装芯片，其中，所述封装构件由具有至少80％的UV透射率的热塑性树脂制成，其中，所述导电层的上部由具有小于90％的UV-C反射率的物质制成，并且其中，所述半导体发光器件芯片的所述电极电连接到所述导电层的所述上部。2CN110197864A说明书1/27页半导体发光器件及其制造方法技术领域[0001]本公开总体上涉及半导体发光器件，并且更具体地，涉及光提取效率提高的半导体发光器件。背景技术[0002]本部分提供了与本公开相关而不一定是现有技