半导体发光器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102074627A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102074627A(43)申请公布日2011.05.25(21)申请号201010224463.8(22)申请日2010.07.07(30)优先权数据10-2009-01119962009.11.19KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李雄朴允硕曹元根张昭英(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国钟强(51)Int.Cl.H01L33/14(2010.01)H01L33/20(2010.01)权利要求书2页说明书7页附图14页(54)发明名称半导体发光器件及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种能改善电流分布的半导体发光器件及其制造方法，其中所述半导体发光器件包括基板；在所述基板上的N型氮化物半导体层；在所述N型氮化物半导体层上的有源层；在所述有源层上的P型氮化物半导体层；在所述P型氮化物半导体层中的沟槽以在所述P型氮化物半导体层中形成预定图案；在所述沟槽中的透明非导电材料的光导；和在具有所述光导的P型氮化物半导体层上的透明电极层。CN102746ACCNN110207462702074633A权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件，包括：基板；在所述基板上的N型氮化物半导体层；在所述N型氮化物半导体层上的有源层；在所述有源层上的P型氮化物半导体层；在所述P型氮化物半导体层中的沟槽，以在所述P型氮化物半导体层中形成预定图案；在所述沟槽上的透明非导电材料的光导；和在具有所述光导的P型氮化物半导体层上的透明电极层。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述预定图案是通过在所述沟槽插在相邻多边形或相邻圆形的边界之间的条件下重复排列所述多个多边形或圆形而形成的。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述沟槽具有V形、半圆形、或多边形的断面。4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，进一步包括在沟槽的表面与所述光导之间的反射层，所述反射层由选自Al、Ti、Au、Ag、Ni、Sn、Cu、Cr以及它们的混合物的材料形成。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述透明非导电材料是基于SixOy的氧化物材料。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光导包括：在所述沟槽内部的第一光导；和在所述第一光导上的第二光导，其中所述第二光导比所述透明电极层薄，所述第二光导具有半圆形或多边形的断面。7.一种制造半导体发光器件的方法，包括：在基板上形成N型氮化物半导体层；在所述N型氮化物半导体层上形成有源层；在所述有源层上形成P型氮化物半导体层；在所述P型氮化物半导体层中形成沟槽，以在所述P型氮化物半导体层中形成预定图案；在所述P型氮化物半导体层的整个区域上沉积透明非导电材料；通过蚀刻所述透明非导电材料在所述沟槽上形成光导；以及在具有所述光导的P型氮化物半导体层上的透明电极层。8.根据权利要求7所述的方法，其中形成沟槽包括：在所述沟槽插在相邻多边形或相邻圆形的边界之间的条件下，重复排列所述多个多边形或圆形获得预定图案，其中所述沟槽具有V形、半圆形或多边形的断面。9.根据权利要求7所述的方法，其中形成光导包括：在所述沟槽内部形成第一光导；和在所述第一光导上形成第二光导，其中所述第二光导比所述透明电极层薄，所述第二光导具有半圆形或多边形的断面。10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在形成沟槽和形成光导的步骤之间，在所述沟槽的表面上形成反射层，所述反射层由2CCNN110207462702074633A权利要求书2/2页选自Al、Ti、Au、Ag、Ni、Sn、Cu、Cr以及它们的混合物的材料形成。3CCNN110207462702074633A说明书1/7页半导体发光器件及其制造方法[0001]本申请要求2009年11月19日提交的韩国专利申请10-2009-0111996的优先权，在此援引该专利申请作为参考，就像在这里全部列出一样。技术领域[0002]本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种氮化物半导体发光器件。背景技术[0003]氮化物半导体发光器件包括紫外、蓝色和绿色发光区域。特别地，可将基于GaN的氮化物半导体发光器件应用于红色/绿色发光二极管(LED)的光学器件，以及对应于MESFET(金属半导体场效应晶体管)或HEMT(异质结场效应晶体管)的高速开关或高功率器件的电子器件。[0004]图1是图解根据现有技术的氮化物半导体发光器件的断面图。[0005]如图1中所示，根据现有技术的氮化物半导体发光器件100包括基板110、缓冲层120、未掺杂半导体层130、N型氮化物半导体层140、有源层150、P型氮化物半导体层160、透明电极层170、在透明电极层170上的P型电极