LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104218137104218137A(43)申请公布日2014.12.17(21)申请号201310225255.3(22)申请日2013.06.05(71)申请人江苏豪迈照明科技有限公司地址224700江苏省建湖县经济开发区永兴路999号(72)发明人陈宗烈(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人陈源崔利梅(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/42(2010.01)H01L33/60(2010.01)H01L25/075(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图5页附图5页(54)发明名称LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯(57)摘要LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯。其中的LED芯片COB封装结构包括：一个或多个LED发光基片（10），每个LED发光基片包括：连接阳极（A+）的P型半导体层（P）；连接阴极（A-）的N型半导体层（N）；以及形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层（102），其中所述的阴极（A-）是透明电极并通过导电的透明衬底层（T）与所述的N型半导体层结合；所述LED芯片COB封装结构还包括透光基板（110），其用于承载所述一个或多个LED发光基片（10），所述透光基板（110）的一侧与所述一个或多个LED发光基片（10）的阴极（A-）结合，另一侧与一反光结构层（R）结合。CN104218137ACN1042837ACN104218137A权利要求书1/1页1.一种LED发光基片（10），其包括：连接阳极（A+）的P型半导体层（P）；连接阴极（A-）的N型半导体层（N）；以及形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层（102）；其特征在于，所述的阴极（A-）是透明电极并通过导电的透明衬底层（T）与所述的N型半导体层结合。2.一种LED芯片COB封装结构，包括：一个或多个LED发光基片（10），每个LED发光基片包括：连接阳极（A+）的P型半导体层（P）；连接阴极（A-）的N型半导体层（N）；以及形成在所述P型半导体层和N型半导体层之间的发光PN结层（102）；其中，所述的阴极（A-）是透明电极并通过导电的透明衬底层（T）与所述的N型半导体层结合；以及透光基板（110），其用于承载所述一个或多个LED发光基片（10），所述透光基板（110）的一侧与所述一个或多个LED发光基片（10）的阴极（A-）结合，另一侧与一反光结构层（R）结合。3.根据权利要求2的LED芯片COB封装结构，其中：所述的透光基板（110）是由厚度在1mm至2mm之间的透光多晶氧化铝（PCA）、高硼硅玻璃或高导热高分子材料构成，并且所述的反光结构层（R）与所述的LED发光基片（10）之间存在确定的对应几何位置关系。4.根据权利要求2的LED芯片COB封装结构，其中：所述的反光结构层（R）具有规则凹凸起伏几何形反射面。5.根据权利要求4的LED芯片COB封装结构，其中：所述的反射面是斜面、锥面、曲面之一。6.根据权利要求4的LED芯片COB封装结构，其中：所述的反射面是金属材料或非金属材料形成的反射镀膜。7.根据权利要求6的LED芯片COB封装结构，其中：所述的反射镀膜使用的金属材料是铝、铬、镍或金属复合材料硫化锌、氟化镁之一，所述的非金属材料是陶瓷粉、氧化硅之一。8.一种LED灯，其特征在于，其中采用的LED芯片具有上述权利要求2-7任意之一的LED芯片COB封装结构。2CN104218137A说明书1/5页LED发光基片、LED芯片COB封装结构及采用该结构的LED灯技术领域[0001]本发明涉及LED封装结构，尤其涉及LED芯片的COB（chip-on-board）封装结构。本发明还涉及采用所述LED封装结构制成的LED芯片制作的LED灯。背景技术[0002]LED无疑将成为绿色照明、节电和保护环境等多方面的首选技术。但是在LED能够真正被广泛应用在各个领域之前，仍有许多需要解决的技术问题。例如LED的光引出效率需要进一步提高以适用于实际应用的要求。[0003]LED的光引出效率与其采用的封装技术密切相关。其中COB封装技术是近期发展起来的采用比较多的一种形式。尤其是普通照明LED，LED芯片发展大多数采用这种封装。其主要原因是，普通照明要求比较高的光通性，同时LED光源要求达到一定功率，而COB封装形式既能方便地满足不同形状（如矩形、圆形、多边形等）和尺寸扩展的需求，又能够适应普通照明所需要的较大功率的需要。[0004]常见的COB封装一般是采用铝或陶瓷基板，最近业