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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106952990A(43)申请公布日2017.07.14(21)申请号201610003555.0(22)申请日2016.01.07(71)申请人深圳市斯迈得半导体有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道松白路中运泰科技工业厂区厂房6栋8、9楼、四1楼(72)发明人李俊东王鹏辉柳欢张仲元张建敏(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/50(2010.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种芯片级LED封装装置及其制作工艺(57)摘要本发明公开了一种芯片级LED封装装置及其制作工艺,它涉及LED技术领域。基板是由LED引线架和树脂通过模压成型制成,树脂在引线架上表面设计成凸起部分,所述的凸起部分呈碗杯状,基板的表面焊接有倒装芯片,且所述的基板上方覆盖有荧光胶。它只需要模压成型工艺制得基板,然后使用EMC封装工艺便可实现芯片级LED的封装。且其特有的带碗杯结构基板相对于传统的平面基板在性能更具优势;具体表现在基板上的树脂碗杯设计提升了荧光胶体与基板的结合力,防止荧光胶层剥离,从而提高产品的密封性。荧光胶的涂布使用业界EMC封装工艺中的点胶技术,操作简单,设备投入成本少,可灵活调控荧光胶层的厚度及均匀性。CN106952990ACN106952990A权利要求书1/1页1.一种芯片级LED封装装置,其特征在于:它包含基板(4),LED引线架(5)、树脂(6)、凸起部分(7)、倒装芯片(8)和荧光胶(9);基板(4)是由LED引线架(5)和树脂(6)通过模压成型制成,树脂(6)在引线架(5)上表面设计成凸起部分(7),所述的凸起部分(7)呈碗杯状,基板(4)的表面焊接有倒装芯片(8),且所述的基板(4)上方覆盖有荧光胶(9)。2.一种芯片级LED封装装置的制作工艺,其特征在于:它的具体制作工艺为:通过模压成型工艺将LED引线架(5)和树脂(6)压制成连片的基板(4),然后通过共晶焊工艺将倒装芯片(8)固焊到基板(4)上,得到连片的基板(4)固晶状态,接着使用EMC封装中的点胶工艺完成荧光胶(9)的涂布,得到连片基板(4)的点胶状态,最后在连片基板切割状态下使用EMC封装中切割工艺得到单颗芯片级LED器材。2CN106952990A说明书1/2页一种芯片级LED封装装置及其制作工艺技术领域[0001]本发明涉及一种芯片级LED封装装置及其制作工艺,属于LED技术领域。背景技术[0002]芯片级封装即CSP(chipscalepackage),具有体积小,热阻小,发光面积大以及电性能好等优点,成为新一代内存芯片封装技术,而倒装芯片由于将金属线键合与基板连接的晶片电气面朝下,具有高光效、高可靠性和易于集成的优点,从而被广泛地用于CSP封装技术中。[0003]现有单颗CSPLED(如附图1所示)的制作工艺是:首先在机台上铺设平面基板1,然后在平面基板1上使用共晶焊工艺固上多颗倒装芯片2,接着将调配好的荧光胶3注入模具型腔内,通过模压成型将荧光胶3与基板1结合起来,再让荧光胶3固化,使得荧光胶3包覆在除平面基板1以外的芯片上,然后将上述成型芯片群切割成单颗的CSPLED。[0004]现有的CSP制作工艺上虽然有效缩减了封装体积,小、薄而轻,迎合了目前LED照明应用微小型化的趋势,但在技术及工艺存在很多缺点:1、荧光胶的涂布环节需要专用的模压成型设备,设备精度要求高,成本投入高,且较难控制荧光胶的均匀性,会直接影响白光CSPLED的色落bin率及光电性能;2、由于荧光胶体与基板结合方式属于平面结合,在温度变化较大的环境下由于易造成胶体与基板剥离,影响产品的气密性。发明内容[0005]针对上述问题,本发明要解决的技术问题是提供一种芯片级LED封装装置及其制作工艺。[0006]本发明的芯片级LED封装装置,此装置包含基板4,LED引线架5、树脂6、凸起部分7、倒装芯片8和荧光胶9;基板4是由LED引线架5和树脂6通过模压成型制成,树脂6在引线架5上表面设计成凸起部分7,所述的凸起部分7呈碗杯状,基板4的表面焊接有倒装芯片8,且所述的基板4上方覆盖有荧光胶9。[0007]本发明的有益效果:它的制备工艺简单,只需要模压成型工艺制得基板,然后使用EMC封装工艺便可实现芯片级LED的封装。且其特有的带碗杯结构基板相对于传统的平面基板在性能更具优势;具体表现在基板上的树脂碗杯设计提升了荧光胶体与基板的结合力,防止荧光胶层剥离,从而提高产品的密封性。荧光胶的涂布使用业界EMC封装工艺中的点胶技术,相对于传统的模压荧光胶工艺,其表现为操作简单,设备投入成本少,可灵活调控荧光胶层的厚度及均匀性,继而实现白光CSPLED的色落bin