一种芯片封装结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107993991A(43)申请公布日2018.05.04(21)申请号201711387769.3H01L23/552(2006.01)(22)申请日2017.12.20H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230000安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园一期A2楼208室(72)发明人谭小春(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449代理人蔡纯张靖琳(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/373(2006.01)H01L23/49(2006.01)H01L23/498(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称一种芯片封装结构及其制造方法(57)摘要公开了一种芯片封装结构及其制造方法，包括，金属散热层；芯片结构，位于金属散热层的上表面，芯片结构包括位于上表面的多个第一电触点；引脚层，包括多个第二电触点以及多个分离的金属块，多个第二电触点位于金属块的下表面，多个第二电触点通过多个导电柱耦合到芯片结构的多个第一电触点；以及封装胶体，包覆住芯片结构、所述金属散热层以及引脚层的至少部分，引脚层至少部分曝露于封装胶体的上表面，金属散热层的下表面裸露于封装胶体外部。金属散热层的侧面包括凸缘，用于将金属散热层与封装胶体紧密结合。采用图形电镀的工艺方式，形成引脚层或者形成在分布层，在保证芯片封装结构性能的前提下，能够使得制造工艺简便，从而降低制造成本。CN107993991ACN107993991A权利要求书1/2页1.一种芯片封装结构，其中，包括，金属散热层；芯片结构，位于所述金属散热层的上表面，所述芯片结构包括位于上表面的多个第一电触点；引脚层，包括多个第二电触点以及多个分离的金属块，所述多个第二电触点位于所述金属块的下表面，多个所述第二电触点通过多个导电柱耦合到所述芯片结构的多个所述第一电触点；以及封装胶体，包覆住所述芯片结构、所述金属散热层以及所述引脚层的至少部分，所述引脚层至少部分曝露于所述封装胶体的上表面，所述金属散热层的下表面裸露于所述封装胶体外部。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其中，所述金属散热层的侧面包括凸缘。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其中，所述金属散热层的凸缘沿垂直于所述金属散热层的侧面的方向延伸，所述凸缘位于所述封装胶体中。4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其中，所述金属散热层的凸缘沿平行于所述金属散热层的侧面的方向延伸，所述凸缘围绕所述封装胶体的侧面。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其中，还包括密封管脚，位于所述凸缘的上表面，并且延伸至所述封装胶体上表面的周边，使得所述金属散热层、所述凸缘以及所述密封管脚形成容纳封装胶体的腔体。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其中，所述密封管脚的上表面与所述引脚层的上表面的高度一致。7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其中，还包括：再分布层，位于所述芯片结构与所述引脚层之间，所述再分布层沿平行于所述芯片结构的上表面的方向延伸，所述再分布层通过所述导电柱将位于所述芯片结构上表面的所述第一电触点与所述引脚层的所述第二电触点耦合，所述第二电触点位于所述芯片结构中心的上方或者位于所述芯片结构边缘的上方。8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其中，所述多个导电柱包括：第一导电柱，所述第一导电柱将所述再分布层的下表面与所述芯片结构电耦合；以及第二导电柱，所述第二导电柱将所述再分布层的上表面与所述引脚层的下面表面电耦合。9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其中，还包括：绝缘层，位于所述金属散热层的下表面。10.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其中，所述金属散热层的所述上表面与所述芯片结构通过粘结层连接。11.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其中，所述封装胶体包括第一封装胶体以及第二封装胶体，所述第二封装胶体位于所述第一封装胶体上，所述第一封装胶体包覆所述芯片结构以及所述金属散热层，所述第二封装胶体包覆所述再分布层。12.一种制造芯片封装结构的方法，其中，包括：在基板上放置金属散热层，所述金属散热层的侧面包括凸缘；采用粘结层将芯片结构设置在所述金属散热层的上表面；2CN107993991A权利要求书2/2页形成封装胶体，包覆住所述基板的上表面以及所述金属散热层、所述芯片结构；采用机械或者化学处理，将所述芯片结构的上表面的多个电极连接结构暴露于所述第一封装胶体之外；布设引脚层以覆盖并电连接所述电极连接结构。13.根据权利要求12所述的制造芯片封装结构的方法，其中，所述金属散热层的凸缘沿垂