一种芯片及其制造方法、封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115870641A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202310134644.9H01L21/78(2006.01)(22)申请日2023.02.20H01L21/304(2006.01)H01L23/31(2006.01)(71)申请人湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司地址430000湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼6号（自贸区武汉片区）(72)发明人张越刘天建田应超(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师张李静王黎延(51)Int.Cl.B23K26/38(2014.01)B23K26/402(2014.01)B23K26/70(2014.01)权利要求书1页说明书8页附图8页(54)发明名称一种芯片及其制造方法、封装结构(57)摘要本公开提供了一种芯片及其制造方法、封装结构，所述方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括形成于衬底上的主芯片区域和切割道区域；所述切割道区域包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述主芯片区域与所述第一区域之间；所述第一区域包括金属结构，所述第二区域不包括所述金属结构；对所述第一区域执行划片切割，以将所述晶圆切割为若干个芯片；对所述第二区域执行第一倒角切割，以在所述若干个芯片的边角区域形成暴露所述衬底的倒角；对所述衬底执行第二倒角切割，以去除暴露的所述衬底，得到倒角后的芯片。本公开的芯片制造方法对不包括金属结构的区域进行倒角切割，避免在切割过程中产生熔渣，提高倒角后芯片的洁净度。CN115870641ACN115870641A权利要求书1/1页1.一种芯片制造方法，其特征在于，包括：提供晶圆；所述晶圆包括形成于衬底上的主芯片区域和切割道区域；所述切割道区域包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述主芯片区域与所述第一区域之间；所述第一区域包括金属结构，所述第二区域不包括所述金属结构；对所述第一区域执行划片切割，以将所述晶圆切割为若干个芯片；对所述第二区域执行第一倒角切割，以在所述若干个芯片的边角区域形成暴露所述衬底的倒角；对所述衬底执行第二倒角切割，以去除暴露的所述衬底，得到倒角后的芯片。2.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述倒角的侧壁为直形或弧形。3.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述对所述衬底执行第二倒角切割，包括：对暴露的所述衬底执行Bosch刻蚀；所述Bosch刻蚀包括向所述衬底多次交替输送刻蚀气体与钝化气体。4.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述第二区域包括至少一层介质材料层。5.根据权利要求4所述的芯片制造方法，其特征在于，所述介质材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。6.根据权利要求1所述的芯片制造方法，其特征在于，所述对所述第一区域执行划片切割之前，所述芯片制造方法还包括：在所述晶圆上覆盖激光保护液。7.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，所述在所述晶圆上覆盖激光保护液之前，所述芯片制造方法还包括：将所述晶圆的正面与支撑晶圆进行临时键合；对所述晶圆与所述正面相对的背面执行减薄工艺，以去除部分所述衬底；执行解键合，将所述晶圆与所述支撑晶圆分离；将所述晶圆的背面粘附在切割带上。8.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，所述划片切割和所述第一倒角切割为激光切割。9.根据权利要求8所述的芯片制造方法，其特征在于，所述划片切割的切割宽度大于或等于所述第一区域的宽度，并且所述划片切割的切割宽度小于所述切割道区域的宽度。10.一种芯片，其特征在于，所述芯片由权利要求1至9任一项所述的芯片制造方法制得。11.一种封装结构，其特征在于，包括半导体基底和位于所述半导体基底上的多个芯片；所述芯片由权利要求1至9任一项所述的芯片制造方法制得；所述芯片与芯片之间填充有模制材料。2CN115870641A说明书1/8页一种芯片及其制造方法、封装结构技术领域[0001]本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片及其制造方法、封装结构。背景技术[0002]在半导体芯片的制造过程中，首先通过半导体工艺在晶圆上形成多个芯片，然后通过切割工艺将晶圆切割成分离的芯片，再对这些芯片进行封装，最终得到可以使用的半导体器件。[0003]在芯片封装的过程中，易产生芯片的边角区域破裂的问题，进而造成半导体器件的洁净度和良率降低。[0004]因此，如何避免芯片的边角区域发生破裂，并保证芯片的洁净度，成为了目前亟需解决的问题。发明内容[0005]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种芯片及其制造方法。[0006]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本公开实施例提供一种芯片制造方法，包