器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114121828A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111396304.0H01L23/04(2006.01)(22)申请日2021.11.23H01L23/10(2006.01)H01L21/52(2006.01)(71)申请人苏州汉天下电子有限公司地址215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39幢(72)发明人魏涛赖志国杨清华钱盈王友良于保宁(74)专利代理机构北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11653代理人李非非(51)Int.Cl.H01L23/13(2006.01)H01L23/367(2006.01)权利要求书3页说明书17页附图10页(54)发明名称器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种器件芯片，该器件芯片包括：衬底结构，该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；至少一个器件单元，该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。相应地，本发明还提供了一种器件芯片的制造方法、以及基于该器件芯片所形成的封装结构及其制造方法。本发明有利于提高封装结构的散热性能。CN114121828ACN114121828A权利要求书1/3页1.一种器件芯片，该器件芯片包括：衬底结构，该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；至少一个器件单元，该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。2.根据权利要求1所述的器件芯片，其中：每一所述器件单元从下至上依次是下电极、压电层以及上电极，且每一所述器件单元与所述衬底结构之间均形成有声反射结构。3.根据权利要求1或2所述的器件芯片，其中：所述衬底结构从下至上依次包括第一衬底层和第二衬底层；所述第一衬底层在厚度方向上形成有至少一个通孔，该至少一个通孔与所述第二衬底的底面构成所述第一盲孔；所述至少一个通孔内填充有所述第一导热材料。4.根据权利要求3所述的器件芯片，其中：所述衬底结构还包括形成在所述第一衬底层和所述第二衬底层之间的第三衬底层，该第三衬底层的材料是第二导热材料。5.根据权利要求4所述的器件芯片，其中，所述第二衬底层材料的热导率大于等于所述第一衬底层材料的热导率；所述第一导热材料以及所述第二导热材料的热导率大于所述第一衬底层材料的热导率。6.根据权利要求3所述的器件芯片，其中：所述导热孔结构在水平方向上的投影面积之和与所述器件芯片在水平方向上的投影面积的比例范围是30％至90％。7.根据权利要求6所述的器件芯片，其中：所述第一衬底层包括与所述器件单元一一对应的核心区域，每一所述核心区域位于与其相对应的所述器件单元的下方；所述第一衬底层除了所述核心区域之外的区域为非核心区域；其中，所述核心区域中所述导热孔结构的分布密度大于所述非核心区域中所述导热孔结构的分布密度。8.根据权利要求7所述的器件芯片，其中：每一所述器件单元在水平方向上的投影边缘与位于其下方的所述核心区域在水平方向上的投影边缘构成环形形状，该环形形状的宽度小于等于100μm。9.根据权利要求3所述的器件芯片，其中：当所述导热孔结构的数量大于等于2个时，所述第一衬底层上还形成有第一互联结构，该第一互联结构形成在所述第一衬底层上表面的凹槽内并使所述导热孔结构中的所述第一导热材料之间形成互联。10.根据权利要求4所述的器件芯片，其中：当所述器件单元的数量大于等于2个时，所述第三衬底层包括与所述器件单元一一对应的导热区域、以及第二互联结构，其中，每一所述导热区域位于与其相对应的所述器件单元的下方，所述第二互联结构使所述导热区域之间形成互联。2CN114121828A权利要求书2/3页11.根据权利要求10所述的器件芯片，其中：所述第三衬底层在水平方向上的投影面积与所述器件芯片在水平方向上的投影面积的比例范围是30％至90％；以及每一所述导热区域在水平方向上的投影与相对应的所述器件单元在水平方向上的投影之间存在重叠区域，该重叠区域的投影面积与相对应的所述器件单元在水平方向上的投影面积的比例大于50％。12.一种器件芯片的制造方法，该制造方法包括：形成衬底结构，该衬底结构底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；在所述衬底结构上形成至少一个器件单元。13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，每一所述器件单元从下至上依次是下电极、压电层以及上电极，且每一所述器件单元与所述衬底结构之间均形成有声反射结构。14.根据