多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115863310A(43)申请公布日2023.03.28(21)申请号202211194240.0H01L23/31(2006.01)(22)申请日2022.09.28H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)(71)申请人北京智芯微电子科技有限公司H01L21/60(2006.01)地址100192北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼申请人国网江苏省电力有限公司国家电网有限公司(72)发明人李德建韩顺枫关媛李博夫李大猛杨宝斌何慧敏刘丰满(74)专利代理机构北京智信四方知识产权代理有限公司11519专利代理师刘真(51)Int.Cl.H01L23/535(2006.01)H01L25/00(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图3页(54)发明名称多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法(57)摘要本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构、多芯片封装结构的制造方法，所述多芯片封装结构包括：第一芯片单元、第二芯片单元、基板以及互联桥；基板，位于第一芯片单元和第二芯片单元的下方，与第一芯片单元和第二芯片单元连接；互联桥，位于第一芯片单元和第二芯片单元的上方，互联桥的一端与第一芯片单元电连接，互联桥的另一端与所述第二芯片单元电连接。该多芯片封装结构无需在基板上挖腔以嵌入硅桥，可以通过设置在两个芯片单元的上表面的互联桥，以电连接两个芯片单元，实现多个芯片的互连，从而使得多芯片封装结构的制造工艺的难度降低，进而降低了该多芯片封装结构的制造成本。CN115863310ACN115863310A权利要求书1/2页1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括第一芯片单元、第二芯片单元、基板以及互联桥；所述基板，位于所述第一芯片单元和所述第二芯片单元的下方，与所述第一芯片单元和所述第二芯片单元连接；所述互联桥，位于所述第一芯片单元和所述第二芯片单元的上方，所述互联桥的一端与所述第一芯片单元电连接，所述互联桥的另一端与所述第二芯片单元电连接。2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一连接件；所述第一芯片单元和所述互联桥的一端通过所述第一连接件电连接。3.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二连接件；所述第二芯片单元和所述互联桥的另一端通过所述第二连接件电连接。4.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一粘接层；所述第一芯片单元和所述基板通过所述第一粘接层粘接。5.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二粘接层；所述第二芯片单元和所述基板通过所述第二粘接层粘接。6.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一键合线；所述第一芯片单元的引脚和所述基板上的电路通过所述第一键合线连接。7.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二键合线；所述第二芯片单元的引脚和所述基板上的电路通过所述第二键合线连接。8.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：焊球；所述焊球，位于所述基板的下方，与所述基板的下表面连接。9.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，还包括：模塑介质层；所述模塑介质层，位于所述第一芯片单元、所述第二芯片单元、所述基板以及所述互联桥的上方。10.一种多芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：电连接第一芯片单元的第一表面和互联桥的一端；电连接第二芯片单元的第二表面和所述互联桥的另一端；连接基板和所述第一芯片单元的第三表面，并连接所述基板和所述第二芯片单元的第四表面；其中，所述第一表面和所述第三表面相背，所述第二表面和所述第四表面相背。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述电连接第一芯片单元的第一表面和互联桥的一端，包括：使用多个第一连接件，电连接所述第一芯片单元的所述第一表面与所述互联桥的一端。12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述电连接第二芯片单元的第二表面和所述互联桥的另一端，包括：使用多个第二连接件，电连接所述第二芯片单元的所述第二表面与所述互联桥的另一端。13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述连接基板和所述第一芯片单元的第三表面，包括：2CN115863310A权利要求书2/2页使用第一粘接层，将所述第一芯片单元的第三表面和所述基板的上表面粘接。14.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述连接所述基板和所述第二芯片单元的第四表面，包括：使用第二粘接层，将所述第二芯片单元的第四表面和所述基板的上表面粘接。15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述连接基板和所述第一芯片单元的第三表面之后，所述方法还