芯片及其制备方法.pdf
Th****84
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芯片及其制备方法.pdf
本发明提出了一种芯片。该芯片包括:固相基底;以及多个接枝分子,所述多个接枝分子的一端与所述固相基底相连,所述多个接枝分子具有环氧基团;多个第一硅烷分子,所述第一硅烷分子的一端与所述固相基底相连,所述第一硅烷分子具有硅烷基团末端和至少一个亲水基团末端,其中,所述环氧基团与所述亲水基团末端的摩尔比例是1:1~1:1000。根据本发明实施例的芯片具有较优的表面性能,对核酸的非特异性吸附低、利于大量探针固定上以及均匀分布,应用于核酸捕获检测,利于获得数据量大、质量高的检测结果,特别适用于高精确要求的核酸检测,例如
芯片结构及其制备方法.pdf
本发明的实施例提供了一种芯片结构及其制备方法,半导体技术领域。芯片结构包括N型衬底、N型外延层、氧化硅层、多晶硅层和铝层,其中,N型外延层形成在N型衬底上;氧化硅层形成在N型外延层上,在氧化硅层上光刻出有源窗口、并贯穿至N型外延层;多晶硅层沉积在氧化硅层上以及有源窗口内,并在有源窗口内的多晶硅层上进行P型掺杂,并扩散穿透多晶硅层与N型外延层形成PN结、构成电压;铝层形成在多晶硅层上。芯片结构及其制备方法能够简化TVS芯片或ESD芯片的工艺流程,降低成本。
LED芯片及其制备方法.pdf
本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片设置有将芯片主体至少部分包覆的阻挡层,以及将阻挡层包覆的第一钝化层,阻挡层可阻挡第一钝化层中氯离子进入芯片主体,且保留在第一钝化层中的氯离子可与外部进入的金属离子结合,避免金属离子从LED芯片外界透过钝化层到达芯片主体,从而对芯片主体进行有效的保护。因此上述LED芯片的第一钝化层抗金属离子污染的能力得到明显提升,同时LED芯片的可靠性、质量以及良品率也都能得到明显的提升。
白光LED芯片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种白光LED芯片及其制备方法,包括:金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、保护层、高反胶以及荧光膜片;其中,金属电极设于LED芯片的下表面;荧光膜片设于LED芯片的上表面,且荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积;透明硅胶于荧光膜片表面呈弧状设于LED芯片四周;保护层位于透明硅胶表面;高反胶沿保护层表面设于LED芯片和荧光膜片四周。在透明硅胶和高反胶的接触界面制备一层致密的硬质保护层,有效阻挡挥发性有机物透过透明硅胶进入LED芯片,解决由挥发性有机物的残留导致LED芯片色度发生变化的技术问
气体敏感芯片及其制备方法.pdf
气体敏感芯片及其制备方法,涉及气体传感器领域。本发明是为了解决现有气体敏感芯片在筛选、传递和测试过程中,容易被损坏,进而导致成品率低的问题。本发明所述的气体敏感芯片,气体敏感单元的基底上沿三条连续的边留有宽度相同的基底键合区,透气封盖为一侧开口的长方体盖状结构,透气封盖顶部开有电气引出口、且透气封盖顶部的中心位置还开有透气孔,透气封盖的底部盖沿构成封盖键合区,透气封盖盖合在气体敏感单元上方,基底键合区与封盖键合区相互对应并实现键合连接,使得透气封盖中心与基底的中心正对、且气体敏感单元上的所有焊盘均位于电气