芯片及其制备方法.pdf
Th****84
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芯片及其制备方法.pdf
本发明提出了一种芯片。该芯片包括:固相基底;以及多个接枝分子,所述多个接枝分子的一端与所述固相基底相连,所述多个接枝分子具有环氧基团;多个第一硅烷分子,所述第一硅烷分子的一端与所述固相基底相连,所述第一硅烷分子具有硅烷基团末端和至少一个亲水基团末端,其中,所述环氧基团与所述亲水基团末端的摩尔比例是1:1~1:1000。根据本发明实施例的芯片具有较优的表面性能,对核酸的非特异性吸附低、利于大量探针固定上以及均匀分布,应用于核酸捕获检测,利于获得数据量大、质量高的检测结果,特别适用于高精确要求的核酸检测,例如
芯片结构及其制备方法.pdf
本发明的实施例提供了一种芯片结构及其制备方法,半导体技术领域。芯片结构包括N型衬底、N型外延层、氧化硅层、多晶硅层和铝层,其中,N型外延层形成在N型衬底上;氧化硅层形成在N型外延层上,在氧化硅层上光刻出有源窗口、并贯穿至N型外延层;多晶硅层沉积在氧化硅层上以及有源窗口内,并在有源窗口内的多晶硅层上进行P型掺杂,并扩散穿透多晶硅层与N型外延层形成PN结、构成电压;铝层形成在多晶硅层上。芯片结构及其制备方法能够简化TVS芯片或ESD芯片的工艺流程,降低成本。
LED芯片及其制备方法.pdf
本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片设置有将芯片主体至少部分包覆的阻挡层,以及将阻挡层包覆的第一钝化层,阻挡层可阻挡第一钝化层中氯离子进入芯片主体,且保留在第一钝化层中的氯离子可与外部进入的金属离子结合,避免金属离子从LED芯片外界透过钝化层到达芯片主体,从而对芯片主体进行有效的保护。因此上述LED芯片的第一钝化层抗金属离子污染的能力得到明显提升,同时LED芯片的可靠性、质量以及良品率也都能得到明显的提升。
芯片封装结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法,芯片封装结构包括:一引线框架,所述引线框架具有至少一基岛及至少一引脚;至少一芯片,设置在所述基岛上,每一芯片的背面与所述基岛的承载面连接,每一芯片的有源面上设置有多个与芯片的焊垫连接的导电凸块;至少一导电柱,设置在所述引脚上表面;至少一重布线层,分别与所述导电凸块及所述导电柱连接,以将所述芯片的焊垫连接至所述引脚。本发明的优点在于,本发明芯片封装结构通过基岛散热,所述芯片通过导电凸块、重布线层及导电柱连接与引脚,具有高导热性能及良好的导电性能,适应大功率和高导热高导
芯片封装结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种芯片封装结构及其制备方法,其中芯片封装结构包括:散热盖、加固片、芯片、辅助电子器件和基板;加固片、芯片和辅助电子器件固定设置于基板的同一表面上,散热盖位于加固片背离基板的一侧,散热盖与加固片固定连接,散热盖与芯片焊接,基板与加固片和散热盖合围成一安装腔,芯片位于安装腔内;加固片朝向基板的表面开设有容纳腔,辅助电子器件位于容纳腔内。本发明能够提高芯片封装的良率。