LED芯片及其制备方法.pdf
曦晨****22
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LED芯片及其制备方法.pdf
本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片设置有将芯片主体至少部分包覆的阻挡层,以及将阻挡层包覆的第一钝化层,阻挡层可阻挡第一钝化层中氯离子进入芯片主体,且保留在第一钝化层中的氯离子可与外部进入的金属离子结合,避免金属离子从LED芯片外界透过钝化层到达芯片主体,从而对芯片主体进行有效的保护。因此上述LED芯片的第一钝化层抗金属离子污染的能力得到明显提升,同时LED芯片的可靠性、质量以及良品率也都能得到明显的提升。
白光LED芯片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种白光LED芯片及其制备方法,包括:金属电极、倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、保护层、高反胶以及荧光膜片;其中,金属电极设于LED芯片的下表面;荧光膜片设于LED芯片的上表面,且荧光膜片的面积大于LED芯片表面的面积;透明硅胶于荧光膜片表面呈弧状设于LED芯片四周;保护层位于透明硅胶表面;高反胶沿保护层表面设于LED芯片和荧光膜片四周。在透明硅胶和高反胶的接触界面制备一层致密的硬质保护层,有效阻挡挥发性有机物透过透明硅胶进入LED芯片,解决由挥发性有机物的残留导致LED芯片色度发生变化的技术问
垂直LED芯片结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法,包括:1)提供蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层;2)在P-GaN层上形成P电极;3)提供键合衬底,将键合衬底与步骤2)得到的结构键合;4)剥离蓝宝石衬底;5)去除UID-GaN层;6)在N-GaN层表面形成掩膜层,依据掩膜层,采用ICP刻蚀工艺去除部分位于切割道区域的GaN;7)去除掩膜层,采用湿法刻蚀工艺去除保留于切割道区域的GaN,同时形成台阶结构;8)对N-GaN层表面进行表面粗化,形成粗化微结
一种LED芯片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种LED芯片及其制备方法,在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层,且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置,因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料,能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层,减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电;并且通过设置绝缘层,相较于现有技术能够提高ITO层的面积,增加发光效率并提高芯片亮度,同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。
一种LED芯片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括依次层叠的衬底和外延层,所述LED芯片还包括设于所述外延层上的电流阻挡层和第一电极,所述电流阻挡层为环状结构,且所述电流阻挡层的内环呈水波纹状设置,所述第一电极的一端插入所述电流阻挡层的中心部位,以使所述第一电极的侧壁与所述电流阻挡层的内环接触,所述第一电极的底部与所述外延层接触。通过本申请,不仅提升第一电极外围的承压能力,提升了推力值,有效改善了第一电极在焊线受压时会破裂、撕金的问题,还能提升LED芯片的成品率。