LED芯片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113451474A(43)申请公布日2021.09.28(21)申请号202010800442.X(22)申请日2020.08.11(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人苟先华张涛张彬彬林帅苏财钰(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/46(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称LED芯片及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片设置有将芯片主体至少部分包覆的阻挡层，以及将阻挡层包覆的第一钝化层，阻挡层可阻挡第一钝化层中氯离子进入芯片主体，且保留在第一钝化层中的氯离子可与外部进入的金属离子结合，避免金属离子从LED芯片外界透过钝化层到达芯片主体，从而对芯片主体进行有效的保护。因此上述LED芯片的第一钝化层抗金属离子污染的能力得到明显提升，同时LED芯片的可靠性、质量以及良品率也都能得到明显的提升。CN113451474ACN113451474A权利要求书1/1页1.一种LED芯片，其特征在于，包括：芯片主体；将所述芯片主体至少部分包覆的阻挡层；以及将所述阻挡层包覆的第一钝化层，所述第一钝化层中包括能与外部进入的金属离子结合的氯离子，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中的气体进入所述芯片主体。2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括透光基底，所述芯片主体设置于所述透光基底之上，所述阻挡层将所述芯片主体位于所述透光基底之上的区域全部覆盖。3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为800埃至3000埃，所述阻挡层的厚度为2000埃-5000埃。4.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述芯片主体包括芯片外延层和设置于所述芯片外延层上的电极，所述LED芯片还包括：与所述电极电连接的电极垫，所述电极垫裸露于所述阻挡层和第一钝化层。5.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层和阻挡层为二氧化硅薄膜层。6.如权利要求1-3任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述金属离子包括钠离子、铁离子、锂离子中的至少一种。7.一种LED芯片制备方法，其特征在于，包括：生成芯片主体；形成将所述芯片主体至少部分包覆的阻挡层；形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层，所述第一钝化层中包括能与外部进入的金属离子结合的氯离子，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中气体进入所述芯片主体。8.如权利要求7所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述芯片主体包括芯片外延层和设置于所述芯片外延层上的电极，所述形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层之后，还包括：将所述电极上的所述阻挡层和第一钝化层去除；在所述电极上形成电极垫。9.如权利要求7所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述阻挡层用于阻止形成所述第一钝化层的过程中的酸性气体进入所述芯片主体。10.如权利要求7-9任一项所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一钝化层为二氧化硅薄膜层，所述形成将所述阻挡层覆盖的第一钝化层包括：利用氯化硅气体和氧气作为反应前驱气体，通过等离子体增强化学气相沉积法，在所述阻挡层上形成第一钝化层。2CN113451474A说明书1/6页LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。背景技术[0002]随着空间技术和工农业的发展，电子设备日趋复杂，对半导体器件的稳定性和可靠性提出了越来越高的要求，由于半导体表面状态的恶化严重地影响到器件的稳定性和可靠性，因此表面钝化问题在半导体器件生产上的重要性越来越突出。针对该问题，相关技术中的LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片上采用了钝化层对LED芯片进行保护，但是采用的钝化层存在结构疏松，针孔密度较高，抗金属离子污染能力较差。例如相关技术中的钝化Na+等金属离子阻挡能力有限；在长时间的Na+等金属离子环境条件下使用后，Na+会慢慢的从LED芯片外界透过钝化层到达芯片内部，导致芯片漏电，芯片质量下降，良品率降低。[0003]因此，如何提升LED芯片的钝化层抗金属离子污染能力是亟需解决的问题。发明内容[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片及其制备方法，旨在解决相关技术中，LED芯片的钝化层抗金属离子污染能力差的问题。[0005]一种LED芯片，包括：[0006]芯片主体；[0007]将芯片主体包覆的阻挡层；[0008]以及将阻挡层包