半导体工艺设备及其承载装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115074690A(43)申请公布日2022.09.20(21)申请号202210738846.X(22)申请日2022.06.24(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人纪克红李冬冬(74)专利代理机构深圳市嘉勤知识产权代理有限公司44651专利代理师辛鸿飞(51)Int.Cl.C23C14/50(2006.01)C23C14/35(2006.01)H01L21/687(2006.01)H01J37/34(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称半导体工艺设备及其承载装置(57)摘要本申请公开了一种半导体工艺设备及其承载装置，属于半导体工艺技术。该半导体工艺设备的承载装置包括：基座，包括第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆，第二表面的高度低于第一表面的高度，且第二表面环绕第一表面设置；沉积环，包括形成有环形凹槽的上表面和覆盖在所述第二表面上的下表面；盖环，盖环的外环部支撑在半导体工艺设备的反应腔体的内衬上，盖环的内环部盖设沉积环的外环部，且盖环的内环部与沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在盖环与沉积环之间的相接处与环形凹槽之间形成迷宫通道。本申请的承载装置，可在半导体工艺处理过程中，有效降低盖环与沉积环之间发生粘连现象的概率。CN115074690ACN115074690A权利要求书1/1页1.一种用于半导体工艺设备的承载装置，其特征在于，包括：基座，包括第一表面和第二表面，所述第一表面用于承载晶圆，所述第二表面的高度低于所述第一表面的高度，且所述第二表面环绕所述第一表面设置；沉积环，包括形成有环形凹槽的上表面和覆盖在所述第二表面上的下表面；盖环，所述盖环的外环部支撑在半导体工艺设备的反应腔体的内衬上，所述盖环的内环部盖设所述沉积环的外环部，且所述盖环的内环部与所述沉积环的外环部之间相对的两个表面上设置有多个环状凸起与多个环状凹陷，以在所述盖环与所述沉积环之间的相接处与所述环形凹槽之间形成迷宫通道。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，多个所述环状凸起的高度不同，多个所述环状凹陷的深度不同；多个所述环状凸起均设置在所述沉积环的外环部的上表面，多个所述环状凹陷均设置在所述盖环的内环部的下表面，或，多个所述环状凸起均设置在所述盖环的内环部的下表面，多个所述环状凹陷均设置在所述沉积环的外环部的上表面，或，多个所述环状凸起和多个所述环状凹陷均部分设置在所述沉积环的外环部的上表面，部分设在所述盖环的内环部的下表面。3.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述盖环的内环部具有屋檐结构，所述屋檐结构遮盖部分所述环形凹槽。4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述基座包括第一圆柱和第二圆柱，所述第一圆柱与所述第二圆柱上下同心相接设置，且所述第一圆柱的底面半径小于所述第二圆柱的底面半径，以在所述基座的上侧分别形成所述第一表面和所述第二表面；所述沉积环的内环部与所述第一圆柱的外侧壁之间通过若干第一定位凸台与若干第一定位凹槽一一对应卡设配合进行定位。5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述盖环的内环部与所述沉积环的外环部之间通过若干第二定位凸台与若干第二定位凹槽一一对应卡设配合进行定位。6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述沉积环的外环部还设置有若干卡扣槽，每一所述卡扣槽通过一个卡扣与所述基座进行紧固连接。7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述卡扣包括卡扣杆体，所述卡扣杆体的一端设置有第一钩体，以勾设相应的所述卡扣槽，所述所述卡扣杆体的另一端设置有第二钩体，以勾设所述基座的底面。8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述卡扣槽为T型槽体，所述第一钩体为与所述T型槽体相适配的T型钩体。9.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，还包括：固定环，环绕所述基座的外侧壁设置，并将若干所述卡扣锁固在所述基座的外侧壁上。10.根据权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述卡扣杆体的另一端还设置有第三钩体，以勾设所述固定环。11.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1‑10任一项所述的承载装置、具有封闭空间的反应腔体以及半导体工艺处理组件，所述承载装置及所述半导体工艺处理组件分别内置于所述封闭空间中。2CN115074690A说明书1/7页半导体工艺设备及其承载装置技术领域[0001]本申请属于半导体工艺技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其承载装置。背景技术[0002]目前，在半导体制造工艺中采用铝和铝合金作为互连线技术广泛应用于芯片制造金属化的过程。其常见的制造工艺为磁控溅射方式，典