半导体工艺设备及其承载装置.pdf

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括基座及设置于基座内的导气结构;基座的顶面上开设有第一凹槽,第一凹槽的底面用于承载晶圆,第一凹槽中承载有晶圆时,第一凹槽的内壁与晶圆的边缘之间具有间隙;第一凹槽的底面上开设有第二凹槽;导气结构包括导气通道和连通通道,导气通道的数量为多个,多个导气通道沿基座周向均匀排布,每个导气通道均连通间隙和第二凹槽,连通通道连通第二凹槽和基座下方的空间。本申请实施例通过对晶圆边缘区域的反应气体浓度进行减低,从而降低了晶圆边缘区域的膜生长速率,进而提高了晶圆膜厚度的均匀性。