承载装置、半导体工艺设备及其控制方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114597153A(43)申请公布日2022.06.07(21)申请号202210164705.1(22)申请日2022.02.22(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人徐晶晶(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315专利代理师高东(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图2页(54)发明名称承载装置、半导体工艺设备及其控制方法(57)摘要本发明公开一种承载装置、半导体工艺设备及其控制方法，涉及半导体加工技术领域。该承载装置，包括基座、加热层、绝缘层和电荷传输装置。绝缘层内设置有电极组件，且绝缘层通过电极组件产生吸附电压固定放置于承载装置的晶圆。加热层内设置有加热器，加热层通过加热器对晶圆加热。电荷传输装置包括第一电荷传输组件和第二电荷传输组件，第一电荷传输组件的第一端与加热组件相连，第一电荷传输组件的第二端通过第二电荷传输组件与预设参考电压端相连，且第一电荷传输组件和第二电荷传输组件均包括两个相互并联的电荷传输元件。该方案能解决静电卡盘上所残留的电荷会对晶圆产生静电吸附力，造成导致晶圆偏移倾斜的问题。CN114597153ACN114597153A权利要求书1/2页1.一种承载装置，其特征在于，包括基座(500)、加热层(100)、绝缘层(600)和电荷传输装置(200)，所述加热层(100)和所述绝缘层(600)叠置于所述基座(500)，且所述加热层(100)位于所述基座(500)与所述绝缘层(600)之间；所述绝缘层(600)内设置有电极组件，且所述绝缘层(600)通过所述电极组件产生吸附电压固定放置于所述承载装置的晶圆；所述加热层(100)内设置有加热器(110)，所述加热层(100)通过所述加热器(110)对所述晶圆加热；所述电荷传输装置(200)包括第一电荷传输组件(210)和第二电荷传输组件(220)，所述第一电荷传输组件(210)的第一端与所述加热器(110)相连，所述第一电荷传输组件(210)的第二端通过所述第二电荷传输组件(220)与预设参考电压端相连；所述第一电荷传输组件(210)包括第一电荷传输元件(211)和第二电荷传输元件(212)，所述第一电荷传输元件(211)和所述第二电荷传输元件(212)并联；所述第二电荷传输组件(220)包括第三电荷传输元件(221)和第四电荷传输元件(222)，所述第三电荷传输元件(221)和所述第四电荷传输元件(222)并联。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述电荷传输装置(200)还包括第三电荷传输组件(230)，所述第一电荷传输组件(210)的第一端通过所述第三电荷传输组件(230)与所述加热器(110)相连；所述第三电荷传输组件(230)包括第五电荷传输元件(231)和第六电荷传输元件(232)，所述第五电荷传输元件(231)和所述第六电荷传输元件(232)并联。3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述第五电荷传输元件(231)的阻抗值为第五阻抗值，所述第一电荷传输元件(211)的阻抗值为第一阻抗值，所述第二电荷传输元件(212)的阻抗值为第二阻抗值，所述第一阻抗值和所述第二阻抗值均与所述第五阻抗值不相等。4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述第六电荷传输元件(232)的阻抗值为第六阻抗值，所述第六阻抗值与所述第五阻抗值不相等，所述所述第一阻抗值和所述第二阻抗值不相等。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括检测组件(300)，所述检测组件(300)与所述电荷传输装置(200)相连，且所述检测组件(300)与所述电荷传输装置(200)的连接部位于所述第一电荷传输组件(210)和所述第二电荷传输组件(220)之间，且所述检测组件(300)用于对所述电荷传输装置(200)实施监测与故障诊断。6.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述检测组件(300)包括检测器件(310)和故障判断器件(320)，所述检测器件(310)具有检测端和输出端，所述检测端与所述电荷传输装置(200)相连，所述输出端与所述故障判断器件(320)相连，且所述检测器件(310)用于检测所述第一电荷传输组件(210)和所述第二电荷传输组件(220)连接处的电压或电流；所述故障判断器件(320)根据所述检测器件(310)的检测信息对所述故障判断器件(320)实施监测与故障诊断。7.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括报警器，所述报2CN114597153A权利要求书2/2页警器与所述检测组件(3