液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102087449A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102087449A(43)申请公布日2011.06.08(21)申请号201010542551.2G02F1/1333(2006.01)(22)申请日2010.11.10H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2006.01)(30)优先权数据10-2009-01182812009.12.02KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人安成勋林京男金焕(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚王凯(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)G02F1/1343(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法(57)摘要本发明涉及液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法。一种液晶显示设备的阵列基板包括：位于基板上的选通线；与选通线相连的栅极；位于选通线和栅极上并包括栅开口的栅绝缘层；位于栅绝缘层上并与栅极交叠的有源层；位于有源层上的欧姆接触层；位于欧姆接触层上的源极；位于欧姆接触层上并与源极隔开的漏极，其中漏极的一端被设置在栅开口中；位于栅绝缘层上并与源极相连的数据线，数据线与选通线交叉；位于数据线、源极以及漏极上并包括像素开口的钝化层，其中，像素开口露出栅开口中的漏极和栅绝缘层的一部分；以及位于栅绝缘层上和像素开口中的像素电极，像素电极与漏极在栅开口中的一端相接触。CN1028749ACCNN110208744902087454A权利要求书1/2页1.一种液晶显示设备的阵列基板，该阵列基板包括：位于基板上的选通线；与所述选通线相连的栅极；位于所述选通线和所述栅极上并包括栅开口的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上并与所述栅极交叠的有源层；位于所述有源层上的欧姆接触层；位于所述欧姆接触层上的源极；位于所述欧姆接触层上并与所述源极隔开的漏极，其中所述漏极的一端被设置在所述栅开口中；位于所述栅绝缘层上并与所述源极相连的数据线，所述数据线与所述选通线交叉；位于所述数据线、所述源极以及所述漏极上并包括像素开口的钝化层，其中，所述像素开口露出所述栅开口中的所述漏极和所述栅绝缘层的一部分；以及位于所述栅绝缘层上和所述像素开口中的像素电极，所述像素电极与所述漏极在所述栅开口中的所述一端相接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层的一端被所述源极的一端覆盖，并且所述有源层的另一端被所述漏极的所述一端覆盖。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素电极的厚度小于所述钝化层的厚度。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素电极的端部与所述钝化层的端部相接触。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅开口露出所述基板的顶面，使得所述栅开口中的所述漏极与所述基板的顶面和所述栅绝缘层的侧表面相接触。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述像素电极的一部分与前一条选通线交叠，使得所述前一条选通线的交叠部分、所述像素电极的交叠部分以及位于所述前一条选通线的所述交叠部分与所述像素电极的所述交叠部分之间的所述栅绝缘层构成了存储电容器。7.一种制造液晶显示设备的阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成选通线和栅极，所述栅极与所述选通线相连；在所述选通线和所述栅极上形成栅绝缘层，在所述栅绝缘层上形成有源层，并且在所述有源层上形成掺杂非晶硅图案，其中，所述栅绝缘层包括栅开口，并且所述有源层与所述栅极交叠；在所述栅绝缘层上形成数据线，并且在所述掺杂非晶硅图案上形成源极和漏极，所述数据线与所述源极相连并与所述选通线交叉，所述漏极与所述源极隔开，其中，所述漏极的一端被设置在所述栅开口中；蚀刻所述掺杂非晶硅图案的通过所述源极和所述漏极之间的空间而露出的部分，以露出所述有源层的一部分；以及形成钝化层，该钝化层被设置在所述数据线、所述源极以及所述漏极上并包括像素开口，并且在所述像素开口中形成像素电极，其中，所述像素开口露出了所述栅开口中的所述漏极和所述栅绝缘层的一部分，使得所述像素电极与所述栅开口中的所述漏极相接触并且2CCNN110208744902087454A权利要求书2/2页被设置在所述栅绝缘层上。8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述钝化层和所述像素电极的步骤包括以下步骤：在所述基板的包括所述数据线、所述源极和所述漏极的整个表面上形成钝化层；在所述钝化层上与所述数据线、所述源极和所述漏极的一部分相对应地形成光刻胶图案；使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模对所述钝化层的一部分进行蚀刻，以露出所述栅绝缘层的一部分和所述漏极在所述栅开口中的所述一端；在所述基板