液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103809320103809320A(43)申请公布日2014.05.21(21)申请号201310220569.4(22)申请日2013.06.05(30)优先权数据10-2012-01271962012.11.12KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李宰硕权在昶沈有厘金旻甫(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.G02F1/1335(2006.01)G02F1/1368(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图6页附图6页(54)发明名称液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法(57)摘要液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法。形成所述阵列基板的薄膜晶体管的栅极。所述栅极具有围绕该栅极的内部区域的边缘区域，并且所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚。在所述栅极上方形成半导体层。形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述半导体层中限定沟道区域。所述沟道区域位于所述栅极的内部区域上方。另外，可以利用半色调掩模形成所述栅极，所述半色调掩模导致所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚。CN103809320ACN103892ACN103809320A权利要求书1/2页1.一种液晶显示设备的阵列基板，所述阵列基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极，所述栅极具有围绕该栅极的内部区域的边缘区域，其中，所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚；源极；漏极；以及半导体层，所述半导体层具有由所述源极和所述漏极限定的沟道区域，其中所述沟道区域位于所述栅极的内部区域上方。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述栅极由阻挡光的不透明金属材料组成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：光阻挡膜图案，所述光阻挡膜图案形成在所述沟道区域上方。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述光阻挡膜图案由阻挡光的不透明金属材料组成。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述栅极和所述光阻挡膜图案由相同的材料组成。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述栅极具有比所述光阻挡膜图案更宽的面积。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述漏极和所述源极位于所述栅极的内部区域上方。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述栅极具有比所述源极、所述漏极和所述半导体层所占据的总面积更宽的面积。9.根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：像素电极，所述像素电极连接到所述漏极；以及公共电极，所述公共电极与所述像素电极交叠。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述栅极的边缘区域的顶面被定位为高于所述沟道区域的顶面。11.一种制造液晶显示设备的阵列基板的方法，所述方法包括如下步骤：形成薄膜晶体管的栅极，所述栅极具有围绕该栅极的内部区域的边缘区域，其中，所述栅极的边缘区域比所述栅极的内部区域更厚；在所述栅极上方形成半导体层；以及形成所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述半导体层中限定沟道区域，其中所述沟道区域位于所述栅极的内部区域上方。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述栅极由阻挡光的不透明金属材料形成。13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括如下步骤：在所述沟道区域上方形成光阻挡膜图案。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡膜图案由阻挡光的不透明金属材料形成。15.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极和所述光阻挡膜图案由相同的材料形成。2CN103809320A权利要求书2/2页16.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极形成为具有比所述光阻挡膜图案更宽的面积。17.根据权利要求11所述的方法，其中在所述栅极的内部区域上方形成所述漏极和源极。18.根据权利要求11所述的方法，其中所述栅极形成为具有比所述源极、所述漏极和所述半导体层所占据的总面积更宽的面积。19.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括如下步骤：形成连接到所述漏极的像素电极；以及形成与所述像素电极交叠的公共电极。20.根据权利要求11所述的方法，其中所述栅极的边缘区域的顶面被定位为高于所述沟道区域的顶面。21.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述栅极的步骤包括：利用半色调掩模形成所述栅极。3CN103809320A说明书1/9页液晶显示设备的阵列基板以及制造该阵列基板的方法技术领域[0001]本申请涉及液晶显示设备，并且更具体地说，涉及被配置为向薄膜晶体管的上侧和下侧提供光阻挡膜，简化制造工艺，并且减少制造成本的液晶显示设备的阵列基板及其制造方法。