阵列基板的制造方法和阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110112072A(43)申请公布日2019.08.09(21)申请号201910274821.7(22)申请日2019.04.08(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人章仟益(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L21/34(2006.01)H01L29/786(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称阵列基板的制造方法和阵列基板(57)摘要本申请实施例公开一种阵列基板的制造方法包括：提供一基板，在基板上形成遮光层；在遮光层上设置不同段差的光阻，并对遮光层进行刻蚀；刻蚀完成后，对光阻进行灰化处理，并保留遮光层预设位置上的光阻作为垫底层；在遮光层上依次沉积缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极层以及介电层；在介电层上形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，第三通孔的位置与预设位置相对应，用于暴露部分遮光层，第一通孔和第二通孔用于暴露部分半导体层；通过第一通孔、第二通孔和第三通孔形成源极和漏极，源极分别通过第二通孔和第三通孔与遮光层和半导体层相连接，漏极通过第一通孔与半导体层相连接；在介电层上形成覆盖源极和漏极的钝化层。本方案可以避免遮光层被刻穿。CN110112072ACN110112072A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上形成遮光层；在所述遮光层上设置不同段差的光阻，并对所述遮光层进行刻蚀；刻蚀完成后，对所述光阻进行灰化处理，并保留所述遮光层预设位置上的光阻作为垫底层；在所述遮光层上依次沉积缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极层以及介电层；在所述介电层上形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第三通孔的位置与所述预设位置相对应，用于暴露部分所述遮光层，所述第一通孔和所述第二通孔用于暴露部分半导体层；通过所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔形成源极和漏极，所述源极分别通过所述第二通孔和所述第三通孔与遮光层和半导体层相连接，所述漏极通过所述第一通孔与所述半导体层相连接；在所述介电层上形成覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述介电层上形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，包括：通过黄光处理在所述介电层上分别形成第一预设图案和第二预设图案；采用刻蚀气体根据所述第一预设图案和第二预设图案对所述介电层进行刻蚀，以形成所述第一通孔、第二通孔和第三通孔。3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括三氟化氮和氧气。4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用刻蚀气体根据所述第一预设图案和第二预设图案对所述介电层进行刻蚀，以形成所述第一通孔、第二通孔和第三通孔，包括：采用第一预设比例的三氟化氮和氧气作为刻蚀气体，根据所述第一预设图案对所述介电层进行刻蚀，以形成所述第一通孔和第二通孔；采用第二预设比例的三氟化氮和氧气作为刻蚀气体，根据所述第二预设图案对所述介电层进行刻蚀，以形成所述第三通孔。5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一预设比例为体积比1-3:1。6.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二预设比例为体积比3-5:1。7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述灰化处理的时长在20秒至150秒之间，功率在500瓦至2000瓦之间。8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述垫底层的面积为所述第三通孔与所述遮光层接触面积的1至3倍。9.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述遮光层的构成材料包括金属钼，厚度在之间。10.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板、遮光层、缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极层、介电层、源极、漏极以及钝化层；2CN110112072A权利要求书2/2页所述遮光层设置在所述基板上；所述缓冲层覆盖所述基板和所述遮光层；所述半导体层设置在所述缓冲层上；所述绝缘层设置在所述半导体层上；所述栅极层设置在所述绝缘层上；所述介电层覆盖所述缓冲层、所述半导体层、所述绝缘层和所述栅极层；其中，所述介电层上包括第一通孔、第二通孔和第三通孔；所述源极分别通过所述第二通孔和所述第三通孔与所述遮光层和所述半导体层相连接；所述漏极通过所述第一通孔与所述半导体层相连接；所述钝化层覆盖所述介电层、所述源极和所述漏极。3CN110112072A说明书1/6页阵列基板的制造方法和阵列基板技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法和阵列基板。背景技术[0002]平板显示装置具有机