阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108121120A(43)申请公布日2018.06.05(21)申请号201711213959.3(22)申请日2017.11.28(30)优先权数据10-2016-01621962016.11.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金度延金宗贤崔成旭(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.G02F1/1343(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图10页(54)发明名称阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置(57)摘要根据本公开内容，披露了一种阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示装置。第一电极与第二电极之间的保护层形成为双层，该双层包括作为高电阻率层的第一层和作为低电阻率层的第二层。因此，DC释放时间减少，从而在维持取向膜的高取向力的同时有效减少了残像。另外，第一电极与第二电极之间的保护层形成有具有高电阻率的第一层、具有低电阻率的第二层和具有高电阻率的第三层。因此，在维持高取向力的同时抑制了第一取向膜的界面的极化现象，从而有效减少了由于R-DC而导致的残像。另外，防止了由于低电阻率层的形成而导致的灰度偏移的增加以及由于界面的变形而导致的接触孔的断开。CN108121120ACN108121120A权利要求书1/2页1.一种阵列基板，包括：第一基板；位于所述第一基板上的薄膜晶体管；位于所述第一基板上的第一电极；位于所述第一电极上的保护层；以及位于所述保护层上的第二电极，其中所述保护层包括第一层和第二层，所述第一层具有第一电阻率值，所述第二层具有第二电阻率值，所述第一层位于所述第一电极与所述第二层之间，并且所述第二电阻率值小于所述第一电阻率值。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二层的厚度小于或者等于所述第一层的厚度。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第二层的厚度是或者更小。4.根据权利要求1所述的阵列基板，进一步包括取向膜，所述取向膜配置成覆盖所述第二电极，其中所述取向膜与所述第二电极和所述第二层接触，并且所述取向膜具有大于或者等于所述第二电阻率值的电阻率值。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二电阻率值在所述第一电阻率值的1/1000到1/10的范围内。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中所述第一电阻率值是1013Ωcm或者更大。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述保护层进一步包括接触孔，所述接触孔配置成将所述第二电极连接到公共线，并且所述第二层通过所述接触孔与所述第二电极接触。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中栅绝缘膜设置在所述第一电极上。9.根据权利要求7所述的阵列基板，其中所述薄膜晶体管包括：位于所述第一基板上的栅电极；位于所述栅电极上的栅绝缘膜；位于所述栅绝缘膜上的半导体层；和源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于半导体层上并且所述源电极和所述漏电极彼此间隔开，以及其中所述第一电极设置在所述栅绝缘膜下方。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述第一电极和所述公共线设置在与所述栅电极相同的层中并且由与所述栅电极相同的材料形成。11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述接触孔穿过所述保护层和所述栅绝缘膜。12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述保护层进一步包括跳接孔，所述跳接孔配置成将所述第一电极连接到所述薄膜晶体管，并且所述第二层通过设置在所述跳接孔上的连接图案与所述第一电极接触。13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中栅绝缘膜设置在所述第一电极下方，并且所述第一电极直接连接到所述薄膜晶体管。14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中所述薄膜晶体管包括：2CN108121120A权利要求书2/2页位于所述第一基板上的栅电极；位于所述栅电极上的栅绝缘膜；位于所述栅绝缘膜上的半导体层；和源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述半导体层上并且所述源电极和所述漏电极彼此间隔开，其中所述第一电极设置在所述栅绝缘膜下方，所述连接图案与所述第二电极形成在同一层中并且所述连接图案由与所述第二电极相同的材料形成，并且所述第一电极通过所述连接图案连接到所述漏电极。15.根据权利要求14所述的阵列基板，其中所述跳接孔穿过所述保护层和所述栅绝缘膜。16.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述保护层进一步包括位于所述第二层与所述第二电极之间并且具有第三电阻率值的第三层，并且所述第三电阻率值大于所述第二电阻率值。17.根据权利要求16所述的阵列基板，其中所述第一层、所述第二层和所述第三层分别具有第一厚度、第二厚度和第三厚度，并且所述第二厚度小于或者等于所述第一厚度且所述第二厚度大于所述第三厚度。18.根据权利要求17所述的阵