用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103424915A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103424915103424915A(43)申请公布日2013.12.04(21)申请号201310194190.0(22)申请日2013.05.23(30)优先权数据10-2012-00554452012.05.24KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金镇必郑棋永闵今奎张尚洙(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.G02F1/1333(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书6页说明书6页附图8页附图8页(54)发明名称用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法(57)摘要公开了一种用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包括：基板；栅极线和公共线，设置在基板上；栅极绝缘膜，设置在栅极线和公共线上；半导体层，设置在栅极绝缘膜上，与栅极线面对；源极和漏极，所设置在半导体层上；有机绝缘膜，设置在源极和漏极上，包括暴露漏极的第一接触孔，具有形成在第一接触孔的倾斜表面上的台阶式高度差；公共电极，设置在有机绝缘膜上并且与公共线连接；钝化膜，设置在具有公共电极的基板上并且通过第一接触孔与漏极接触；以及像素电极，设置在钝化膜上以与公共电极相对应，并且与漏极接触。CN103424915ACN1034295ACN103424915A权利要求书1/2页1.一种用于液晶显示器的阵列基板，包括：基板；栅极线和公共线，所述栅极线和所述公共线设置在所述基板上；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜设置在所述栅极线和所述公共线上；半导体层，所述半导体层设置在所述栅极绝缘膜上，并且所述半导体层与所述栅极线面对；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述半导体层上；有机绝缘膜，所述有机绝缘膜设置在所述源极和所述漏极上，所述有机绝缘膜包括暴露所述漏极的第一接触孔，并且所述有机绝缘膜具有形成在所述第一接触孔的倾斜表面上的台阶式高度差；公共电极，所述公共电极设置在所述有机绝缘膜上并且与所述公共线连接；钝化膜，所述钝化膜设置在具有所述公共电极的基板上并且通过所述第一接触孔与所述漏极接触；以及像素电极，所述像素电极设置在所述钝化膜上以与所述公共电极相对应，并且所述像素电极与所述漏极接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述钝化膜包括暴露由所述第一接触孔暴露的漏极的第二接触孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第一接触孔和所述第二接触孔部分地交叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中形成在所述有机绝缘膜上的台阶式高度差包括多个台阶。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述公共电极通过穿透所述有机绝缘膜和所述栅极绝缘膜的第三接触孔与所述公共线接触。6.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括取向膜，所述取向膜形成在包括所述像素电极的基板的表面上，并且所述取向膜至少覆盖所述第一接触孔。7.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括取向膜，所述取向膜形成在包括所述像素电极的基板的表面上，并且所述取向膜形成在所述第一接触孔和所述第二接触孔上。8.一种用于液晶显示器的阵列基板的制造方法，所述方法包括如下步骤：形成基板；在所述基板上形成栅极线和公共线；在所述栅极线和所述公共线上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成与所述栅极线面对的半导体层；在所述半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和所述漏极上形成有机绝缘膜以暴露所述漏极，其中形成所述有机绝缘膜以暴露所述漏极的步骤包括：形成暴露所述漏极的第一接触孔，并且在所述第一接触孔的倾斜表面上形成台阶式高度差；以及在所述有机绝缘膜上形成与所述公共线连接的公共电极；在具有所述公共电极的基板上形成钝化膜，以通过所述第一接触孔与所述漏极接触；以及2CN103424915A权利要求书2/2页在所述钝化膜上形成与所述公共电极相对应并且与所述漏极接触的像素电极。9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一接触孔的步骤包括如下步骤：将光刻胶膜涂布在所述源极和所述漏极上；将所述光刻胶膜的一部分分解以形成所述第一接触孔。10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述光刻胶膜的一部分分解以形成所述第一接触孔的步骤包括：通过半色调掩模将光施加到所述光刻胶膜上，其中所述半色调掩模包括位于至少部分所述漏极上的透射部分。11.根据权利要求8所述的方法，其中在所述有机绝缘膜上形成台阶式高度差的步骤包括如下步骤：将光刻胶膜涂布在所述源极与所述漏极上；将所述光刻胶膜的一部分分解以在所述有机绝缘膜上形成台阶式高度差。12.根据权利要求11所述的方法，其中将所述光刻胶膜的一部分分解以在所述有机绝缘膜上形成台阶式高度差的步骤包括：通