液晶显示器的阵列基板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104252075104252075A(43)申请公布日2014.12.31(21)申请号201310713320.7H01L21/77(2006.01)(22)申请日2013.12.20(30)优先权数据10-2013-00759012013.06.28KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人文泰亨宋泰俊李揆煌李炅河(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)G02F1/1333(2006.01)H01L27/12(2006.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书9页说明书9页附图25页附图25页(54)发明名称液晶显示器的阵列基板及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种液晶显示器的阵列基板及其制造方法。阵列基板包括：沟槽，其具有相对于基板的表面的深度；填充各沟槽的选通线、栅电极和数据图案，其中，数据图案位于相邻的选通线之间；栅极绝缘层，其位于选通线、栅电极和数据图案上，在基板上基本上是平坦的，并且包括分别暴露数据图案的两端的接触孔；数据连接部，其位于栅极绝缘层上并且通过接触孔接触相邻的数据图案；源电极，其从数据连接部延伸；以及漏电极，其与源电极隔开；钝化层，其位于源电极和漏电极上并且包括暴露漏电极的漏极接触孔；以及像素电极，其位于钝化层上并且通过漏极接触孔接触漏电极。CN104252075ACN104257ACN104252075A权利要求书1/3页1.一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板，所述基板包括像素区域；沟槽，所述沟槽具有相对于所述基板的表面的深度；选通线、栅电极和数据图案，所述选通线、所述栅电极和所述数据图案填充各沟槽，其中，所述数据图案处于相邻的选通线之间；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述选通线、所述栅电极和所述数据图案上，在所述基板上是平坦的，并且包括分别暴露所述数据图案的两端的接触孔；半导体层，所述半导体层位于所述栅电极上的所述栅极绝缘层上；数据连接部，所述数据连接部位于所述栅极绝缘层上并且通过所述接触孔接触相邻的数据图案；源电极和漏电极，所述源电极连接到所述数据连接部，并且所述漏电极与所述源电极隔开；以及像素电极，所述像素电极连接到所述漏电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板进一步包括：钝化层，所述钝化层位于所述源电极和所述漏电极上并且包括暴露所述漏电极的漏极接触孔，其中，所述像素电极位于所述钝化层上并且通过所述漏极接触孔接触所述漏电极，并且其中，所述源电极从所述数据连接部延伸并且位于所述半导体层上。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述深度为0.5μm至5μm，并且所述选通线、所述栅电极和所述数据图案具有等于所述深度的厚度。4.一种阵列基板，所述阵列基板包括：基板，所述基板包括像素区域；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上并且包括沟槽，所述沟槽具有相对于所述缓冲层的表面的深度；选通线、栅电极和数据图案，所述选通线、所述栅电极和所述数据图案填充各沟槽，其中，所述数据图案处于相邻的选通线之间；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述选通线、所述栅电极和所述数据图案上，在所述基板上是平坦的，并且包括分别暴露所述数据图案的两端的接触孔；半导体层，所述半导体层位于所述栅电极上的所述栅极绝缘层上；数据连接部，所述数据连接部位于所述栅极绝缘层上并且通过所述接触孔接触相邻的数据图案；源电极和漏电极，所述源电极连接到所述数据连接部，并且所述漏电极与所述源电极隔开；以及像素电极，所述像素电极连接到所述漏电极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，所述阵列基板进一步包括：钝化层，所述钝化层位于所述源电极和所述漏电极上并且包括暴露所述漏电极的漏极接触孔，其中，所述像素电极位于所述钝化层上并且通过所述漏极接触孔接触所述漏电极，并2CN104252075A权利要求书2/3页且其中，所述源电极从所述数据连接部延伸并且位于所述半导体层上。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述深度为0.5μm至5μm，并且所述选通线、所述栅电极和所述数据图案具有等于所述深度的厚度。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述深度等于或小于所述缓冲层的厚度。8.一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：蚀刻包括像素区域的基板以形成具有相对于所述基板的表面的深度的沟槽；形成填充各沟槽的选通线、栅电极和数据图案，其中，所述数据图案处于相邻的选通线之间；在所述选通线、所述栅电极和所述数据图案上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述基板上是平坦的；在所述栅电极上的所述栅极绝缘层上形成半导体层；对所述栅极绝缘