阵列基板及其制造方法和液晶显示器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102237305A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102237305A(43)申请公布日2011.11.09(21)申请号201010168706.0(22)申请日2010.05.06(71)申请人北京京东方光电科技有限公司地址100176北京市经济技术开发区西环中路8号(72)发明人谢振宇龙春平(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人刘芳(51)Int.Cl.H01L21/77(2006.01)H01L27/02(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称阵列基板及其制造方法和液晶显示器(57)摘要本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中形成数据线的流程包括：沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜；涂覆光刻胶并进行曝光显影；第一次刻蚀掉完全去除区域对应的数据线金属薄膜和有源层薄膜，在像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案；按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；进行第二次湿刻，刻蚀掉部分保留区域对应的数据线金属薄膜，并进行第二次干刻，刻蚀部分保留区域对应的部分有源层薄膜，在像素区域形成有源层的图案，在接口区域形成数据线的图案；灰化光刻胶；刻蚀掉接口区域中部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。本发明以简化高效的生产工艺制备阵列基板，且保持较小的接口区域数据线间距。CN102375ACCNN110223730502237310A权利要求书1/2页1.一种阵列基板的制造方法，包括在像素区域形成栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和像素电极图案的流程以及同时在接口区域形成栅线和数据线图案的流程，其特征在于，在所述像素区域形成数据线、有源层、源电极和漏电极的图案且同时在所述接口区域形成数据线图案的流程包括：沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜；涂覆光刻胶，并进行曝光显影，形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案；进行第一次湿刻，刻蚀掉所述完全去除区域对应的数据线金属薄膜，并进行第一次干刻，刻蚀掉所述完全去除区域对应的有源层薄膜，在所述像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案；按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；进行第二次湿刻，刻蚀掉所述部分保留区域对应的数据线金属薄膜，并进行第二次干刻，刻蚀所述部分保留区域对应的部分有源层薄膜，在所述像素区域形成有源层的图案，在所述接口区域形成数据线的图案；灰化去除剩余的光刻胶；刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的剩余有源层薄膜包括：在像素区域和接口区域形成钝化层薄膜；通过构图工艺，刻蚀掉所述漏电极的上方的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案，且同时刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的钝化层薄膜和剩余有源层薄膜。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺，刻蚀掉所述漏电极的上方的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案，且同时刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的钝化层薄膜和剩余有源层薄膜包括：采用单色调掩膜板进行构图工艺，刻蚀掉所述漏电极的上方的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案，且同时刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的绝缘材料，所述绝缘材料包括所述钝化层薄膜和剩余有源层薄膜。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺，刻蚀掉所述漏电极的上方的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案，且同时刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的钝化层薄膜和剩余有源层薄膜包括：采用双色调掩膜板进行构图工艺，通过第一次刻蚀来刻蚀掉所述漏电极的上方的钝化层薄膜，形成钝化层过孔的图案，再通过第二次刻蚀来刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的钝化层薄膜和剩余有源层薄膜；或采用双色调掩膜板进行构图工艺，通过第一次刻蚀来刻蚀所述接口区域中所述部分保留区域对应的部分薄膜；再通过第二次刻蚀来刻蚀掉所述漏电极上方的钝化层薄膜形成钝化层过孔的图案，且通过第二次刻蚀来刻蚀所述接口区域中所述部分保留区域对应的剩余钝化层薄膜和有源层薄膜。5.根据权利要求1～4任一权利要求所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述数据线的材料为铝/钕叠层、铝或铜。2CCNN110223730502237310A权利要求书2/2页6.一种阵列基板，包括衬底基板；所述衬底基板上形成有像素区域和接口区域；所述像素区域形成有栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和像素电极的图案；所述接口区域形成有栅线和数据线的图案，其特征在于：所述接口区域的数据线形成在有源层薄膜之上，且所述接口区域数据线的宽度与所