液晶显示器的阵列基板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103838045103838045A(43)申请公布日2014.06.04(21)申请号201310306108.9(22)申请日2013.07.19(30)优先权数据10-2012-01340452012.11.23KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金江一张城容李哲焕(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚王伶(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)H01L21/77(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书5页说明书5页附图5页附图5页(54)发明名称液晶显示器的阵列基板及其制造方法(57)摘要本发明公开了液晶显示器的阵列基板及其制造方法。一种液晶显示器的阵列基板包括：基板以及设置在基板上并且由一条选通线、第一数据线、第二数据线、第一公共线和第二公共线的交叉结构限定的第一子像素和第二子像素。第一子像素包括第一半导体层、第一源极、第一漏极和连接到第一漏极的第一像素电极。第二子像素包括第二半导体层、第二源极、第二漏极和连接到该第二漏极的第二像素电极。第一子像素与第二子像素彼此共享一条选通线，并且第一漏极和第二漏极通过一个接触孔露出。CN103838045ACN103845ACN103838045A权利要求书1/2页1.一种液晶显示器的阵列基板，所述液晶显示器的阵列基板包括：基板；以及第一子像素和第二子像素，所述第一子像素和第二子像素设置在所述基板上并且由一条选通线、第一数据线、第二数据线、第一公共线和第二公共线的交叉结构限定，其中，所述第一子像素包括第一半导体层、第一源极、第一漏极和连接到所述第一漏极的第一像素电极，而所述第二子像素包括第二半导体层、第二源极、第二漏极和连接到所述第二漏极的第二像素电极，其中，所述第一子像素与所述第二子像素彼此共享所述一条选通线，并且所述第一子像素的所述第一漏极和所述第二子像素的所述第二漏极通过一个接触孔露出。2.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中，所述第一子像素包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括栅极、所述第一半导体层、所述第一源极以及所述第一漏极，其中，所述第二子像素包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括所述栅极、所述第二半导体层、所述第二源极以及所述第二漏极。3.根据权利要求2所述的液晶显示器的阵列基板，其中，所述第一半导体层、所述第一源极和所述第一漏极以及所述第二半导体层、所述第二源极和所述第二漏极被设置在所述一条选通线上方。4.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中，所述选通线具有两个相对侧，并且所述第一子像素和所述第二子像素分别与所述一条选通线的一个相对侧相邻设置。5.根据权利要求1所述的液晶显示器的阵列基板，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括金属氧化物，并且所述第一子像素包括第一蚀刻阻挡件，所述第二子像素包括第二蚀刻阻挡件。6.一种液晶显示器的阵列基板，所述液晶显示器的阵列基板包括：基板；第一薄膜晶体管，其设置在所述基板上并包括第一漏极；第二薄膜晶体管，其设置在所述基板上并包括第二漏极；以及有机绝缘层，其设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上；第一像素电极，其设置在所述有机绝缘层上且在所述第一薄膜晶体管上方；第二像素电极，其设置在所述有机绝缘层上且在所述第二薄膜晶体管上方；以及公共接触孔，其是针对所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管两者的，其中，所述第一漏极通过所述公共接触孔连接到所述第一像素电极，并且所述第二漏极通过所述公共接触孔连接到所述第二像素电极。7.根据权利要求6所述的阵列基板，所述阵列基板还包括公共选通线，其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共享所述公共选通线作为栅极。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述第一半导体层、所述第一源极和所述第一漏极以及所述第二半导体层、所述第二源极和所述第二漏极被设置在所述公共选通线上方并沿所述公共选通线排列。9.根据权利要求7所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：第一子像素和第二子像素，所述第一子像素由第一数据线、第一公共线和所述公共选通线限定，所述第二子像素由第2CN103838045A权利要求书2/2页二数据线、第二公共线和所述公共选通线限定。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述公共选通线被设置在所述第一公共线与所述第二公共线之间。11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述第一子像素和所述第二子像素彼此相对地设置并且所述公共选通线置于所述第一子像素和所述第二子像素之间。12.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一漏极和所述第二漏极