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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103293803A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103293803103293803A(43)申请公布日2013.09.11(21)申请号201210575309.4(22)申请日2012.12.26(71)申请人成都天马微电子有限公司地址611730四川省成都市高新西区天源路88号(72)发明人曾国波王磊吴勃扈映茹(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人郑玮(51)Int.Cl.G02F1/1362(2006.01)G02F1/1368(2006.01)H01L21/77(2006.01)权权利要求书3页利要求书3页说明书7页说明书7页附图21页附图21页(54)发明名称用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板及其制造方法。所述用于FFS模式液晶显示器的阵列基板包括复数个像素结构,在像素结构中,一像素,包括一薄膜晶体管和一像素电极,所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极;一数据线,所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成;一扫描线,所述栅极和扫描线由栅极金属层形成;其中,所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上,所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。在上述阵列基板上,因为数据线和像素电极的被栅极绝缘层间隔开,从而可以根本上杜绝因为数据线和像素电极刻蚀残留而产生的亮点不良。CN103293803ACN103298ACN103293803A权利要求书1/3页1.一种用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,包括复数个像素结构,所述像素结构包括:一像素,包括一薄膜晶体管和一像素电极,所述薄膜晶体管包括一栅极、栅极绝缘层与源极/漏极,所述像素电极与所述源极/漏极的一端电连接;一数据线,与所述源极/漏极的另一端电连接,所述数据线和所述源极/漏极由数据金属层形成;一扫描线,与所述栅极连接,所述栅极和扫描线由栅极金属层形成;其特征在于,所述栅极绝缘层形成于所述像素电极上,所述数据线形成于所述栅极绝缘层上。2.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,还包括复数个扫描端子,所述扫描端子与所述扫描线连接。3.如权利要求2所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述扫描端子由延伸至像素结构外的所述栅极金属层、栅极绝缘层和数据金属层形成。4.如权利要求3所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述栅极绝缘层上设有第一通孔和第二通孔;所述第一通孔暴露出部分所述像素电极,所述像素电极通过所述第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接;所述第二通孔暴露出部分栅极金属层,所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。5.如权利要求2所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述像素电极由一透明电极层形成,所述栅极金属层形成于所述透明金属层上,所述栅极绝缘层形成于所述栅极金属层上。6.如权利要求5所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述栅极绝缘层具有第一通孔和第二通孔;所述第一通孔暴露出部分栅极金属层,所述像素电极通过所述栅极金属层以及第一通孔与所述源极/漏极的一端电连接;所述第二通孔暴露出部分栅极金属层,所述数据金属层通过所述第二通孔与所述栅极金属层。7.如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括一形成于所述栅极绝缘层上的半导体有源层,所述源极/漏极搭接于部分所述半导体有源层上。8.如权利要求2所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述像素结构还包括:一钝化层,形成于所述薄膜晶体管、数据线和栅极绝缘层上;一公共电极,形成于所述钝化层上。9.如权利要求8所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述钝化层还形成于所述扫描端子上。10.如权利要求8所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板,其特征在于,所述公共电极分裂为多条公共电极线。11.一种如权利要求1所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法,包括:步骤一:提供一基板;步骤二:在所述基板上形成第一透明电极层和栅极金属层,所述第一透明电极层的一部分作为所述像素电极,所述栅极金属层的一部分作为所述栅极;2CN103293803A权利要求书2/3页步骤三:在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层;以及步骤四:在所述栅极绝缘层上形成数据金属层,部分所述数据金属层作为源极/漏极和数据线;其中,所述像素电极与所述源极/漏极的一端电连接,所述数据线与所述源极/漏极的另一端电连接。12.如权利要求11所述的用于FFS模式液晶显示器的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述图形化的栅极金属层的另一部分作