阵列基板及其制造方法和液晶显示器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102456619A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102456619A(43)申请公布日2012.05.16(21)申请号201010523144.7(22)申请日2010.10.22(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人宋泳锡崔承镇刘圣烈(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人刘芳(51)Int.Cl.H01L21/77(2006.01)G03F7/00(2006.01)G03F7/20(2006.01)H01L27/12(2006.01)G02F1/1362(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书88页页附图附图1919页(54)发明名称阵列基板及其制造方法和液晶显示器(57)摘要本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该制造方法包括：形成有源层薄膜和数据线金属薄膜；涂覆光刻胶，采用多色调掩膜板进行曝光显影，形成三个厚度区域的光刻胶图案；刻蚀掉第三厚度区域对应的数据线金属薄膜和有源层薄膜；灰化去除部分厚度的光刻胶；在保留第一厚度区域光刻胶的衬底基板上形成透明导电薄膜；剥离剩余的光刻胶以及剩余光刻胶上的透明导电薄膜；对露出的数据线金属薄膜和部分有源层薄膜进行刻蚀；刻蚀掉除沟道上方之外的剩余有源层薄膜，形成包括数据线、源电极、漏电极、像素电极和带有沟道的有源层的图案。本发明可简化生产工序，降低生产成本。CN1024569ACN102456619A权利要求书1/3页1.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅线、栅电极、数据线、有源层、源电极、漏电极和像素电极图案的流程，其特征在于，形成所述数据线、有源层、源电极、漏电极和像素电极图案的流程包括：形成有源层薄膜和数据线金属薄膜；在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶，采用多色调掩膜板进行曝光显影，形成包括第三厚度区域、第二厚度区域和第一厚度区域的光刻胶图案，所述第三厚度区域至少对应于所述像素电极的图案，所述第二厚度区域对应于所述数据线、有源层、源电极和漏电极的图案；刻蚀掉第三厚度区域对应的数据线金属薄膜和有源层薄膜；灰化去除部分厚度的光刻胶，保留所述第一厚度区域的光刻胶；在保留所述第一厚度区域光刻胶的衬底基板上形成透明导电薄膜；剥离剩余的光刻胶以及剩余光刻胶上的透明导电薄膜；对露出的数据线金属薄膜进行刻蚀，并对随后露出的部分有源层薄膜进行刻蚀；采用构图工艺刻蚀掉除沟道上方之外的剩余有源层薄膜，形成包括数据线、源电极、漏电极、像素电极和带有沟道的有源层的图案。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成有源层薄膜和数据线金属薄膜之前形成所述栅线和栅电极图案的流程包括：在衬底基板上形成栅金属薄膜；采用单色调掩模板，通过构图工艺刻蚀所述栅金属薄膜形成包括栅电极和栅线的图案；在形成上述图案的衬底基板上形成栅极绝缘层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅线和栅电极图案先于所述数据线图案形成，则在形成所述数据线、有源层、源电极、漏电极、像素电极和带有沟道的有源层图案的同时还形成栅线接口过孔和数据线接口过孔，则形成所述数据线、有源层、源电极、漏电极、像素电极图案、栅线接口过孔和数据线接口过孔的流程包括：形成有源层薄膜和数据线金属薄膜；在所述数据线金属薄膜上涂覆光刻胶，采用三色调掩膜板进行曝光显影，形成包括第四厚度区域、第三厚度区域、第二厚度区域和第一厚度区域的光刻胶图案，所述第四厚度区域对应于所述栅线接口过孔的图案，所述第三厚度区域对应于所述像素电极的图案，所述第二厚度区域对应于所述数据线、有源层、源电极、漏电极和数据线接口过孔的图案；进行第一次刻蚀，刻蚀所述第四厚度区域对应的所述数据线金属薄膜、有源层薄膜和栅极绝缘层，以形成栅线接口过孔的图案；按照第三厚度区域光刻胶的厚度第一次灰化去除光刻胶；进行第二次刻蚀，刻蚀所述第三厚度区域对应的所述数据线金属薄膜和有源层薄膜；按照第二厚度区域剩余光刻胶的厚度第二次灰化去除光刻胶；在保留所述第一厚度区域光刻胶的衬底基板上形成透明导电薄膜；剥离剩余的光刻胶以及剩余光刻胶上的透明导电薄膜；对露出的数据线金属薄膜进行刻蚀，并对随后露出的部分有源层薄膜进行刻蚀有源层；2CN102456619A权利要求书2/3页采用构图工艺刻蚀掉除沟道上方之外的剩余有源层薄膜，形成数据线、源电极、漏电极、像素电极、带有沟道的有源层和数据线接口过孔的图案。4.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用构图工艺刻蚀掉除沟道上方之外的剩余有源层薄膜包括：在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层；采用单色调掩模板，通过构图