用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103839948103839948A(43)申请公布日2014.06.04(21)申请号201310454886.2G01T1/36(2006.01)(22)申请日2013.09.29(30)优先权数据10-2012-01349622012.11.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金旲奎河晟峰(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L29/786(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图5页附图5页(54)发明名称用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板(57)摘要公开了一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，能够通过向遮光层施加选通电压而非偏置电压以遮蔽薄膜晶体管的沟道区来减少薄膜晶体管漏电流和输出信号噪声。薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，提供扫描信号；多条数据线，设置在与选通线垂直的方向上，输出数据；光电二极管，形成在由选通线和数据线限定的多个单元区的每一个中，执行光电转换，光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，形成在选通线与数据线之间的多个交叉点的每一个处，响应于选通线的扫描信号向数据线输出来自光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，向光电二极管施加偏置电压；遮光层，处于薄膜晶体管的沟道区上方，电连接至选通线。CN103839948ACN103894ACN103839948A权利要求书1/2页1.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，所述多条选通线用于提供扫描信号；多条数据线，所述多条数据线设置在与所述选通线垂直的方向上，用于输出数据；光电二极管，所述光电二极管处于由所述选通线和所述数据线限定的多个单元区中的每一个中，用于执行光电转换，所述光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于所述选通线与所述数据线之间的多个交叉点中的每一个处，用于响应于所述选通线的扫描信号向所述数据线输出来自所述光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，所述多条偏压线用于向所述光电二极管施加偏置电压；遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方，所述遮光层电连接至所述选通线。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据线和所述偏压线平行地形成在所述光电二极管的两侧处。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述遮光层由与所述数据线和所述偏压线相同的材料形成。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述遮光层由与所述光电二极管的所述第一电极相同的材料形成。5.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏电极、从选通线突出的栅电极；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜处于所述基板的整个表面上，具有处于所述源电极上的第一接触孔；光电二极管的第一电极，所述第一电极处于所述层间绝缘膜上，使得所述第一电极通过所述第一接触孔连接至所述源电极；半导体层，所述半导体层形成在所述第一电极上；所述光电二极管的第二电极，所述第二电极处于所述半导体层上；第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜处于所述基板的包括所述光电二极管的所述第二电极的整个表面上；第四接触孔，所述第四接触孔处于所述选通线上方、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜中；遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方、所述第二层间绝缘膜上，使得所述遮光层通过所述第四接触孔连接至所述选通线。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述遮光层由与所述数据线和所述偏压线相同的材料形成。7.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：2CN103839948A权利要求书2/2页薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏电极、从选通线突出的栅电极；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜处于所述基板的整个表面上，所述第一层间绝缘膜具有处于所述源电极上的第一接触孔和处于所述选通线上的第四接触孔；光电二极管的第一电极，所述第一电极处于所述层间绝缘膜上，使得所述第一电极通过所述第一接触孔连接至所述薄膜晶体管的所述源电极；遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方、所述第一层间绝缘膜上，使得所述遮光层通过所述第四接触孔连接至所述选通线；半导体层，所述半导体层处于所述第一电极上；所述光电二极管的第二电极，所述第二电极处于所述半导体层上；第二层间绝缘膜，所