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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109427837A(43)申请公布日2019.03.05(21)申请号201811032908.5(22)申请日2018.09.05(30)优先权数据10-2017-01130212017.09.05KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人罗炯壹李汉锡金廷俊郑丞容(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人康建峰高岩(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)H01L27/12(2006.01)G01T1/36(2006.01)权利要求书1页说明书12页附图8页(54)发明名称用于数字X射线检测器的阵列基板及其制造方法(57)摘要一种用于数字X射线检测器的阵列基板可以包括:基底基板;被设置在基底基板上方的薄膜晶体管;正-本征-负(positive-intrinsic-negative,PIN)二极管,其包括电连接至薄膜晶体管的下电极、被设置在下电极上方的第一PIN层和被设置在第一PIN层上方的上电极;与PIN二极管间隔开的第二PIN层,第二PIN层被设置在薄膜晶体管上方;以及电连接至上电极的偏置电极。CN109427837ACN109427837A权利要求书1/1页1.一种用于数字X射线检测器的阵列基板,所述阵列基板包括:基底基板;被设置在所述基底基板上方的薄膜晶体管;正-本征-负二极管,其包括电连接至所述薄膜晶体管的下电极、被设置在所述下电极上方的第一正-本征-负层以及被设置在所述第一正-本征-负层上方的上电极;与所述正-本征-负二极管间隔开的第二正-本征-负层,所述第二正-本征-负层被设置在所述薄膜晶体管上方;以及电连接至所述上电极的偏置电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极以及连接至所述半导体层的第一电极和第二电极,并且其中,所述第一电极电连接至所述下电极。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第二正-本征-负层与所述半导体层交叠。4.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第二正-本征-负层与所述栅电极交叠。5.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述下电极与所述栅电极间隔开而不与所述栅电极交叠。6.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述正-本征-负二极管与所述栅电极间隔开而不与所述栅电极交叠。7.根据权利要求6所述的阵列基板,其中,所述第一正-本征-负层被设置在所述下电极的内侧处。8.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述下电极和所述第二正-本征-负层被设置在同一层上。9.一种数字X射线检测器,包括:根据权利要求1所述的阵列基板;以及被设置在所述阵列基板上方的闪烁体。10.一种用于制造用于数字X射线检测器的阵列基板的方法,所述方法包括:在基底基板上方形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上方形成第一保护层;在所述第一保护层中形成接触孔,并且形成通过所述接触孔电连接至所述薄膜晶体管的下电极;在所述第一保护层和所述下电极上方形成正-本征-负膜;在所述正-本征-负膜上方形成上电极,所述上电极对应于所述下电极;以及蚀刻所述正-本征-负膜以形成与所述下电极交叠的第一正-本征-负层和与所述薄膜晶体管交叠的第二正-本征-负层,其中,所述第一正-本征-负层和所述第二正-本征-负层彼此间隔开。2CN109427837A说明书1/12页用于数字X射线检测器的阵列基板及其制造方法技术领域[0001]本公开内容涉及用于数字X射线检测器以在不使用额外的制造的情况下降低对薄膜晶体管(TFT)的损坏的阵列基板、包括该阵列基板的数字X射线检测器以及用于制造阵列基板的方法。背景技术[0002]随着数字技术的快速发展,最近已经开发了基于薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器,并且该数字X射线检测器迅速进入医疗应用。数字X射线检测器是指能够检测穿过对象的X射线的透射量(例如,透射率)并且在显示器上显示该对象的内部图像的设备。[0003]通常,数字X射线检测器可以被分类成用于直接检测X射线的直接数字X射线检测器和用于间接检测X射线的间接数字X射线检测器。数字X射线检测器通常被设计成根据其尺寸或分辨率具有数千或数万个像素或者更多像素。图1是示出与在相关技术的间接数字X射线检测器中使用的单个像素对应的部分的示意性截面图。[0004]通常,间接数字X射线检测器1可以包括被设置在基板10上方的薄膜晶体管20、连接至薄膜晶体管20的正-本征-负(positive-intrinsic-negative,PIN)二极管30以及被设置在PIN二极管30上方的闪烁体50。[0005]当X射线被发射至数字X射线检测器时,闪烁体50将入射的X射线转换成可见光,以使得可见光被透射至设置在闪烁体50下方