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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110034207A(43)申请公布日2019.07.19(21)申请号201811434008.3(22)申请日2018.11.28(30)优先权数据10-2017-01613002017.11.29KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李汉锡罗炯壹金廷俊郑丞容(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王萍唐明英(51)Int.Cl.H01L31/115(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图5页(54)发明名称数字X射线检测器的阵列基板和数字X射线检测器(57)摘要公开了一种用于数字X射线检测器的阵列基板和包括该阵列基板的数字X射线检测器。阵列基板有效地保护PIN二极管免受外部湿气或水的影响,使PIN二极管的光透射区域最大化,并且通过使偏置布线的区域最大化来减小电阻。为此,使用被形成为覆盖PIN二极管的外周表面的闭环偏置电极。具体地,偏置电极包括闭环部分和接触延伸部分。该接触延伸部分从闭环部分的一端延伸以直接接触上电极,并且闭环偏置电极包括中空部。CN110034207ACN110034207A权利要求书1/1页1.一种用于数字X射线检测器的阵列基板,包括:基础基板;薄膜晶体管,其设置在所述基础基板上方;PIN二极管,其包括连接至所述薄膜晶体管的下电极、设置在所述下电极上方的PIN层和设置在所述PIN层上方的上电极;保护层,其设置在所述PIN二极管上方;以及偏置电极,其连接至所述上电极且设置在所述保护层上方,并且所述偏置电极被设置成覆盖所述PIN二极管的外周表面。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述偏置电极通过形成在所述上电极的边缘处的所述保护层的接触孔连接至所述上电极。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述偏置电极包括闭环结构。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中:所述偏置电极包括闭环部分和从所述闭环部分的一端延伸的接触延伸部分,其中,所述接触延伸部分直接接触所述上电极。5.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述闭环结构包括中空部。6.一种数字X射线检测器,包括:基础基板,多条栅极线和多条数据线,所述多条栅极线和所述多条数据线在所述基础基板上方被设置成彼此交叉,以便限定多个像素区域,薄膜晶体管,其设置在所述像素区域中的每个像素区域中,PIN二极管,其包括连接至所述薄膜晶体管的下电极、设置在所述下电极上方的PIN层和设置在所述PIN层上方的上电极,保护层,其设置在所述PIN二极管上方,以及偏置电极,其连接至所述上电极且设置在所述保护层上方,并且所述偏置电极被设置成覆盖所述PIN二极管的外周表面;以及闪烁器,其设置在所述偏置电极上方。7.根据权利要求6所述的数字X射线检测器,其中,所述偏置电极通过形成在所述上电极的边缘处的所述保护层的接触孔连接至所述上电极。8.根据权利要求6所述的数字X射线检测器,其中,所述偏置电极包括闭环结构。9.根据权利要求8所述的数字X射线检测器,其中:所述偏置电极包括闭环部分和从所述闭环部分的一端延伸的接触延伸部分,其中,所述接触延伸部分直接接触所述上电极。10.根据权利要求8所述的数字X射线检测器,其中,所述闭环结构包括中空部。11.根据权利要求6所述的数字X射线检测器,其中,所述偏置电极从多条偏置线延伸,所述多条偏置线与所述数据线并行设置且与所述数据线间隔开。12.根据权利要求11所述的数字X射线检测器,其中,所述偏置线沿着所述PIN层的边缘的一端布置。2CN110034207A说明书1/8页数字X射线检测器的阵列基板和数字X射线检测器技术领域[0001]本公开涉及用于数字X射线检测器的阵列基板和包括该阵列基板的数字X射线检测器。背景技术[0002]数字X射线检测器(DXD)是指能够检测传递通过对象的X射线的透射量(例如,透射率)并在显示器上显示对象的内部图像的设备。随着数字技术的快速发展,最近已经开发了基于薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器并迅速得到医疗使用。[0003]一般地,数字X射线检测器通常根据其尺寸或分辨率被设计成具有数千或数万个像素或更多像素。参照图1和图2,用于数字X射线检测器的阵列基板10的每个单元可以包括:设置在基础基板11上方的薄膜晶体管20、连接至薄膜晶体管20的PIN二极管30以及设置在阵列基板10上方的闪烁器(scintillator)50。[0004]当X射线被发射到数字X射线检测器1时,闪烁器50将入射的X射线转换为可见光,使得可见光被传送至包括下电极31、PIN层33和上电极35的PIN二极管30。[0005]施加到PIN二极管30的可见光在PIN层33中被重新转换为电子信号。该电子信号在传递通过连接至PIN二极管