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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109979948A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201811549038.9(22)申请日2018.12.18(30)优先权数据10-2017-01816032017.12.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人田惠知郑丞容李汉锡罗炯壹金廷俊(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有苏虹(51)Int.Cl.H01L27/144(2006.01)H01L31/0224(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图12页(54)发明名称数字X射线检测器用阵列基板及包括其的X射线检测器(57)摘要本公开公开了一种数字X射线检测器用阵列基板及包括其的X射线检测器,该阵列基板使偏压电极与PIN二极管之间的接触电阻最小化,并且改善了PIN二极管的填充因子。在阵列基板中,其中附加地设置有连接至第一偏压电极的由透明导电材料形成的第二偏压电极的双偏压电极连接至PIN二极管的上电极,使得偏压电极的总电阻减小且由不透明材料形成的第一偏压电极的线宽减少,从而使得PIN二极管的填充因子增加。CN109979948ACN109979948A权利要求书1/1页1.一种用于数字X射线检测器的阵列基板,所述阵列基板包括:基础基板;设置在所述基础基板上的薄膜晶体管;PIN二极管,其包括连接至所述薄膜晶体管的下电极、设置在所述下电极上的PIN层、以及设置在所述PIN层上的上电极;设置在所述PIN二极管上的第一偏压电极;以及设置在所述第一偏压电极上的第二偏压电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中:所述第一偏压电极连接至所述上电极,所述第二偏压电极连接至所述第一偏压电极,其中,所述第二偏压电极设置成覆盖所述基础基板的整个表面。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中:所述第一偏压电极连接至所述上电极,所述第二偏压电极连接至所述第一偏压电极,其中,所述第二偏压电极布置为与所述第一偏压电极平行。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述第二偏压电极具有恒定的线宽。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其中:所述第一偏压电极连接至所述上电极,所述第二偏压电极连接至所述第一偏压电极,其中,所述第二偏压电极布置为与所述第一偏压电极垂直。6.根据权利要求5所述的阵列基板,其中,所述第二偏压电极具有恒定的线宽。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其中:所述第一偏压电极连接至所述上电极,所述第二偏压电极连接至所述第一偏压电极,其中,所述第二偏压电极布置在所述第一偏压电极与所述上电极之间的接触余量区域中。8.根据权利要求1所述的阵列基板,其中:所述第一偏压电极连接至所述第二偏压电极,所述第二偏压电极连接至所述上电极,其中,所述第二偏压电极布置为与所述第一偏压电极垂直。9.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第二偏压电极由透明导电材料形成。10.一种X射线检测器,所述检测器包括:根据权利要求1至权利要求9中任一项所述的用于数字X射线检测器的阵列基板;以及设置在所述阵列基板上的闪烁体层。2CN109979948A说明书1/10页数字X射线检测器用阵列基板及包括其的X射线检测器技术领域[0001]本公开涉及一种用于X射线检测器的阵列基板以及包括该阵列基板的X射线检测器。背景技术[0002]随着数字技术的快速发展,最近已经开发了基于薄膜晶体管(TFT)的X射线检测器,并且该X射线检测器已经迅速进入医疗应用。X射线检测器是指能够检测穿过对象的X射线的透射量(例如,透射率)并且在显示器上显示该对象的内部图像的设备。[0003]通常,X射线检测器根据其尺寸或分辨率被设计成具有数千或数万个像素或者更多个像素。图1是示出与用于常规数字X射线检测器的单个像素相对应的部分的示意性截面图。[0004]X射线检测器1包括设置在基板10上的薄膜晶体管20、连接至薄膜晶体管20的PIN二极管30、连接至PIN二极管的偏压电极45、以及设置在PIN二极管30上的闪烁体50。在这种情况下,薄膜晶体管20包括栅电极21、有源层23、源电极25和漏电极27。[0005]当X射线被发射至X射线检测器1时,闪烁体50将入射的X射线转换成可见光,以使得可见光被透射到设置在闪烁体50下方的PIN二极管30。PIN二极管30包括下电极31、PIN层33和上电极35。[0006]PIN二极管30的上电极35通过形成在保护层40中的接触孔41连接至偏压电极45,并且偏压电极45将供电电压传输至PIN二极管30。[0007]被施加至PIN二极管30的可见光在PIN层33中被重新转换成电信号。电信号在穿过连接至PIN二极管30的下电极31的薄膜晶体管20之后被转换成图像信号,以使