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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103839949103839949A(43)申请公布日2014.06.04(21)申请号201310459949.3(22)申请日2013.09.29(30)优先权数据10-2012-01349612012.11.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金旲奎朴星一河晟峰(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/82(2006.01)H01L21/336(2006.01)G02F1/1368(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图5页附图5页(54)发明名称数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板(57)摘要公开了一种用于减小漏电流的数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板。所述薄膜晶体管阵列基板包括:多条选通线,其用于提供扫描信号;多条数据线,其沿着与所述选通线垂直的方向布置,以输出数据;光电二极管,其位于由所述选通线和所述数据线限定的各单元区域中以执行光电转换;薄膜晶体管,其位于所述选通线与所述数据线之间的各交叉处,以根据所述选通线的所述扫描信号导通并且将来自所述光电二极管的光电转换信号输出到所述数据线;以及多条偏压线,其用于将偏置电压施加到所述光电二极管,其中,在光电二极管区域的外部区域中,所述薄膜晶体管的源极连接到所述光电二极管的第一电极。CN103839949ACN103894ACN103839949A权利要求书1/1页1.一种数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:多条选通线,所述多条选通线用于提供扫描信号;多条数据线,所述多条数据线沿着与所述选通线垂直的方向布置以输出数据;光电二极管,所述光电二极管位于由所述选通线和所述数据线限定的各单元区域中以执行光电转换;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于所述选通线与所述数据线之间的各交叉处,以根据所述选通线的所述扫描信号导通并且将来自所述光电二极管的光电转换信号输出到所述数据线;以及多条偏压线,所述多条偏压线用于将偏置电压施加到所述光电二极管,其中,在光电二极管区域的外部区域中,所述薄膜晶体管的源极连接到所述光电二极管的第一电极。2.一种数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:形成在基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置有栅极、源极和漏极;位于所述基板的整个表面上方的层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在所述源极上具有接触孔;光电二极管的第一电极,所述光电二极管的第一电极位于层间绝缘膜上使得所述第一电极通过所述接触孔连接到所述薄膜晶体管的所述源极;形成在所述第一电极上的半导体层;以及位于所述半导体层上的所述光电二极管的第二电极,其中,所述半导体层和所述第二电极不与所述接触孔交叠。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板,其中,所述半导体层和所述第二电极不与所述薄膜晶体管的所述源极交叠。2CN103839949A说明书1/6页数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板技术领域[0001]本发明涉及一种数字X射线检测器。更具体地说,本发明涉及一种用于减小漏电流的数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板。背景技术[0002]通常,X射线是易于穿过物体的短波长辐射,并且X射线的透射率根据该物体的密度来确定。即,可以通过穿过物体的X射线量来间接观察该物体的内部状态。[0003]X射线检测器是检测穿过物体的X射线量的设备。X射线检测器检测X射线的透射率并且通过显示设备来显示物体的内部状态。X射线检测器通常可以用作医学检查器,非破坏性检查器等。[0004]近年来,使用数字造影(下文中称作“DR”)而不使用胶片的数字X射线检测器广泛用作X射线检测器。[0005]数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板中的每一个单元均包括:光电二极管(PIN二极管),所述光电二极管接收X射线,将该X射线转换成可见光并且将该可见光转换成电信号;以及薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述光电二极管的下方并且将来自所述光电二极管的电信号输出到数据线。[0006]图1是例示通常的数字X射线检测器的配置的视图。[0007]如图1所示,通常的数字X射线检测器包括薄膜晶体管阵列基板110、偏压提供器120、选通驱动器130、读取集成电路150、定时控制器180和电源电压提供器190。[0008]读取集成电路150包括信号检测器160和复用器170。[0009]薄膜晶体管阵列基板110检测从能量源中发射的X射线,将检测到的X射线转换成电信号并且输出所述电信号。薄膜晶体管阵列基板110包括:多条选通线(GL);多条数据线(DL),所述多条数据线(DL)