薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字X射线检测器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111081715A(43)申请公布日2020.04.28(21)申请号201910952830.7(22)申请日2019.10.09(30)优先权数据10-2018-01246152018.10.18KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李汉锡田惠知张允琼(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人刘久亮黄纶伟(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/146(2006.01)权利要求书3页说明书13页附图12页(54)发明名称薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字X射线检测器(57)摘要薄膜晶体管阵列基板和包括其的数字X射线检测器。公开了通过增大填充因子来改进感光性，PIN二极管的稳定性提高并且使寄生电容的产生减少或最小化的用于高分辨率数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的高分辨率数字X射线检测器。在一个实施方式中，PIN二极管最大程度地延伸，使得薄膜晶体管的电极和接触孔设置在PIN二极管内部。在电极或布线之间存在有机材料的平整层。另外，通过将偏置线设置成与数据线或选通线交叠而不与PIN二极管交叠来使PIN二极管的光接收区域增大或最大化。CN111081715ACN111081715A权利要求书1/3页1.一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：底座基板；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述底座基板上，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、连接到所述有源层的第一电极和第二电极；第一平整层，该第一平整层设置在所述薄膜晶体管上；以及PIN二极管，该PIN二极管设置在所述第一平整层上，其中，所述PIN二极管包括连接到所述薄膜晶体管的第三电极、在所述第三电极上的PIN层以及在所述PIN层上的第四电极，其中，所述第二电极与所述PIN二极管交叠。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，在所述有源层与所述第一电极和所述第二电极之间设置层间绝缘层，其中，所述有源层分别经由形成在所述层间绝缘层中的第一接触孔和第二接触孔连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述第二接触孔与所述PIN二极管交叠。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一接触孔被设置成与和所述PIN二极管相邻的其它PIN二极管交叠。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二电极和所述第三电极经由形成在所述第一平整层中的第三接触孔彼此连接，其中，所述第三接触孔被设置成与所述PIN二极管交叠。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第三电极被设置成与所述PIN层交叠。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二电极和所述第三电极被设置成彼此交叠。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：第二平整层，该第二平整层在所述第四电极上；以及第五电极，该第五电极在所述第二平整层上，其中，所述第五电极经由形成在所述第二平整层中的接触孔连接到所述第四电极。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述第二平整层上并与所述第五电极连接的偏置线，其中，所述偏置线被设置成不与所述PIN二极管交叠。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括：选通线，该选通线存在于与所述栅极相同的层中；以及数据线，该数据线存在于与所述第一电极和所述第二电极相同的层中，其中，所述偏置线与所述数据线或所述选通线交叠并且沿着所述数据线或所述选通线延伸，而没有延伸超过所述数据线或所述选通线。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述偏置线设置在所述第五电极下方，并且与所述第五电极面接触。11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第四电极和所述第五电极中的每一个由选自由铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和锌氧化物ZnO组成的组中的至少一2CN111081715A权利要求书2/3页种制成。12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括在所述第一平整层和所述PIN二极管之间的第一保护层。13.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括在所述第二平整层和所述PIN二极管之间的第二保护层。14.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一平整层由有机材料制成，其中，所述第一保护层由无机材料制成。15.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二平整层由有机材料制成，其中，所述第二保护层由无机材料制成。16.一种数字X射线检测器，该数字X射线检测器包括：薄膜晶体管阵列