电路基板及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105934104A(43)申请公布日2016.09.07(21)申请号201610257650.3(22)申请日2011.12.16(30)优先权数据2010-2898542010.12.27JP(62)分案原申请数据201180062324.22011.12.16(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县(72)发明人大森一行砂本辰也(74)专利代理机构北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216代理人刘淼(51)Int.Cl.H05K3/28(2006.01)B29C43/18(2006.01)权利要求书2页说明书21页附图2页(54)发明名称电路基板及其制造方法(57)摘要一种电路基板的制造方法，其包括：基板结构体(11)的准备工序、用覆盖薄膜(14)将前述基板结构体(11)最外层的导体电路(13)覆盖的覆盖工序，在前述覆盖工序中，在覆盖薄膜(14)与热处理机构之间介由脱模材料(15)而进行热处理，前述脱模材料(15)是通过朝向热处理机构依序地至少由下述材料构成并层叠而得到的：从超高分子量聚乙烯薄膜以及聚四氟乙烯薄膜中选出的低摩擦性薄膜(16)、第1铝箔(17)、第1高密度聚乙烯薄膜(18a)、第2高密度聚乙烯薄膜(18b)、以及第2铝箔(19)，而且，前述第1高密度聚乙烯薄膜(18a)以及第2高密度聚乙烯薄膜(18b)以MD方向相互垂直的状态被层叠。CN105934104ACN105934104A权利要求书1/2页1.一种电路基板，其至少由基板结构体以及覆盖薄膜构成，该基板结构体包含基板和设置于基板的至少一侧的表面上的导体电路，该覆盖薄膜将所述基板结构体的最外层之中的至少导体电路侧覆盖，所述覆盖薄膜由一种薄膜形成，所述薄膜是由能形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成的，在所述电路基板的厚度剖面，所述覆盖薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖，在所述电路基板的厚度剖面上，导体电路具有大致长方形形状的剖面，覆盖薄膜将该大致长方形剖面以左右均等的方式覆盖，所述覆盖薄膜通过热处理而熔接于所述基板结构体。2.根据权利要求1所述的电路基板，其中，导体电路的长方形剖面具有厚度t，所述长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t1、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t3的情况下，覆盖薄膜的厚度偏差满足下述式(1)，[Max(t1-t3)-Min(t1-t3)]/t＜30(1)式中，Max(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1～t3之中的最大值，Min(t1-t3)是覆盖薄膜的厚度t1～t3之中的最小值，t是导体电路的厚度，厚度偏差的单位为％。3.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，导体电路由差动信号线构成，从电路基板的厚度剖面来观察，薄膜以大致均匀的厚度将基板结构体覆盖。4.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，导体电路由第1差动信号线以及第2差动信号线构成，所述第1差动信号线和第2差动信号线在各自的信号线的长方形剖面分别具有厚度ta、tb，并且所述差动信号线的长方形剖面由基板侧左端部、基板侧右端部、覆盖薄膜侧左端部、覆盖薄膜侧右端部这4点构成，在第1差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t1、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t2、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t3，在第2差动信号线中，将根据覆盖薄膜侧左端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t4、将根据覆盖薄膜侧右端部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t5、将根据覆盖薄膜侧中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t6，将根据第1以及第2差动信号线间的中央部测定出的覆盖薄膜的厚度设为t7时，覆盖薄膜的厚度偏差满足下述式(2)，[Max(t1-t7)-Min(t1-t7)]/t＜30(2)式中，Max(t1-t7)是覆盖薄膜的厚度t1～t7之中的最大值，Min(t1-t7)是覆盖薄膜的厚度t1～t7之中的最小值，t是信号线的厚度ta和tb的平均值，厚度偏差的单位为％。5.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，覆盖薄膜的热膨胀系数αC相对于构成导体-6-6电路的导体的热膨胀系数αM为-2×10/℃至+3×10/℃的范围内。2CN105934104A权利要求书2/2页6.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，构成基板的绝缘体材料由能形成光学各向异性的熔融相的热塑性聚合物形成。7.根据权利要求1或2所述的电路基板，其中，构成基板的绝缘体材料与覆盖薄膜的介电常数之差为±5％以内。3CN105934104A说明书1/21