

陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法.pdf
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陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法.pdf
本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板,在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下,由前述一对对角线划分出的4个区域中,隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置,另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置,前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
复合基板的制造方法以及复合基板.pdf
针对于通过粘合层粘接压电基板与支持基板的复合基板,防止其在内部产生气泡。(a)准备背面(11a)上形成有微小凹凸的压电基板(21),以及热膨胀系数小于压电基板(21)的支持基板(12);(b)在背面(11a)上涂布填充剂以填埋微小凹凸,形成填充层(23);(c)对填充层(23)的表面进行镜面研磨,使其轮廓算术平均偏差Ra小于(a)中的背面(11a);(d)通过粘合层(14)粘接填充层(13)的表面(13a)与支持基板(12)的表面,形成复合基板(20)。
复合基板的制造方法及复合基板.pdf
本发明提供一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法,包括:在半导体结晶层形成基板上依次形成牺牲层及半导体结晶层的步骤;将半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合,使得半导体结晶层形成基板的第一表面与转印目的基板的要与第一表面相接触的第二表面相面对;将半导体结晶层形成基板及转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对牺牲层进行刻蚀,在使半导体结晶层保留在转印目的基板侧的状态下将转印目的基板与半导体结晶层形成基板相分离的步骤。此处,转印目的基板具有非柔性基板和有机物层,有机物层的表面为第二表面。
电路基板以及电路基板的制造方法.pdf
本发明提供一种电路基板以及电路基板的制造方法。电路基板(1)的特征在于,是在包含低温烧结陶瓷材料的绝缘层(20)设置布线而成的电路基板,在上述布线中,包含有在俯视时面积为0.0025mm<base:Sup>2</base:Sup>以上的导热孔(30),上述导热孔(30)层叠多层端面为锥形形状的锥形导体(31)而成,上述锥形导体(31)的各自的端面(31a、31b)与上述绝缘层(30)相接触。
电路基板的制造方法以及电路基板.pdf
本公开涉及电路基板的制造方法以及电路基板。公开插入通过焊盘的贯通孔的引脚被焊接到焊盘的电路基板的制造方法。焊盘被白色的层覆盖,以使照射到引脚的激光的反射光到达焊盘上的白色的层的方式,调整激光对电路基板的照射角度。通过使激光的反射光到达设置于焊盘之上的白色的区域,反射光在白颜色区域散射。焊盘的激光吸收率降低,焊盘的温度上升被抑制。其结果,焊盘周边的绝缘部分受到的损伤被抑制。