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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107079594A(43)申请公布日2017.08.18(21)申请号201580060074.7(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司1(22)申请日2015.10.301219代理人满凤金龙河(30)优先权数据2014-2273212014.11.07JP(51)Int.Cl.H05K3/46(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.05.04(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2015/0807432015.10.30(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/072361JA2016.05.12(71)申请人株式会社可乐丽地址日本冈山县仓敷市(72)发明人高桥健中岛崇裕小野寺稔原哲也权利要求书1页说明书18页附图2页(54)发明名称电路基板及其制造方法(57)摘要本发明提供层间胶粘性和钎焊耐热性优良的电路基板及其制造方法。通过如下的制造方法进行电路基板的制造,所述制造方法包括:准备多张至少一种热塑性液晶聚合物薄膜的工序;在所述多张薄膜中的至少一张中在薄膜的单面或两面上形成导体层而制成单元电路基板的工序;将包含所述单元电路基板的所述多张薄膜层叠而形成层叠体的工序;将所述层叠体在加压下加热至产生层间胶粘的第一温度而进行一体化的热压接工序;和在所述第一温度下的加热后,将所述层叠体在比所述第一温度低、且比所述多张热塑性液晶聚合物薄膜中熔点最低的热塑性液晶聚合物薄膜的熔点低的第二温度下进行加热而进行规定时间的结构控制热处理的工序。CN107079594ACN107079594A权利要求书1/1页1.一种电路基板的制造方法,其包括:准备多张至少一种热塑性液晶聚合物薄膜的工序;在所述多张薄膜中的至少一张中在薄膜的单面或两面上形成导体层而制成单元电路基板的工序;将包含所述单元电路基板的所述多张薄膜层叠而形成层叠体的工序;将所述层叠体在加压下加热至产生层间胶粘的第一温度而进行一体化的热压接工序;和在所述第一温度下的加热后,将所述层叠体在比所述第一温度低、且比所述多张热塑性液晶聚合物薄膜中熔点最低的热塑性液晶聚合物薄膜的熔点低的第二温度下进行加热而进行规定时间的结构控制热处理的工序。2.根据权利要求1所述的电路基板的制造方法,其中,进行所述结构控制热处理的工序包含在所述热压接工序中,在对层叠体进行加压的同时进行结构控制热处理。3.根据权利要求1或2所述的电路基板的制造方法,其中,将层叠体中熔点最低的热塑性液晶聚合物薄膜的熔点设为TmL时,热压接时的第一温度为(TmL-35)~(TmL+20)℃,结构控制热处理时的第二温度为(第一温度-10)℃以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,第二温度下的结构控制热处理时间为15分钟~90分钟。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,从第一温度至第二温度,以1~8℃/分钟进行冷却。6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,热压接时的第一温度为270~320℃,结构控制热处理时的第二温度为260~290℃。7.根据权利要求1至6中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,在所述层叠体的一部分,在包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面或两面上的导体层的单元电路基板上直接层叠包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面上的导体层的单元电路基板。8.根据权利要求1至6中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,在所述层叠体的一部分,将两张包含热塑性液晶聚合物薄膜和形成在其单面或两面上的导体层的单元电路基板隔着包含热塑性液晶聚合物薄膜的粘结片进行层叠。9.根据权利要求1~8中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,在形成所述导体层的工序中,将金属箔热压接到热塑性液晶聚合物薄膜上。10.根据权利要求1~9中任一项所述的电路基板的制造方法,其中,在准备热塑性液晶聚合物薄膜后,在选自形成导体层之前的阶段、在形成热塑性液晶聚合物薄膜并在其单面或两面形成导体层后且层叠体形成前的阶段、和所述层叠体形成后加压前的阶段中的至少一个阶段中,通过在大气中或惰性气氛中在100~200℃的温度下保持规定时间、和/或在气压1500Pa以下的真空度下保持规定时间来进行脱气处理。11.一种电路基板,其为通过权利要求1~10中任一项所述的方法制造的电路基板,其中,具备具有多张热塑性液晶聚合物薄膜和至少一张导体层的层叠结构,在所述层叠结构的至少一部分包含电路经加工的导体层被夹在两张热塑性液晶聚合物薄膜的层间的结构。2CN107079594A说明书1/18页电路基板及其制造方法[0001]关联申请[0002]本申请要求2014年11月7日提出的日本特愿2014-2273