P型晶体硅背接触双面电池的组串连接结构、组件及方法.pdf
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P型晶体硅背接触双面电池的组串连接结构、组件及方法.pdf
本发明提供了一种P型晶体硅背接触双面电池的组串连接结构、组件及方法,包括至少两个电池片,该电池片背面间隔排布有正极导流条和负极导流条,正极导流条连接每行的背面正极细栅线,负极导流条连接每一列的多个过孔银电极,正极导流条与负极导流条相互电绝缘;相邻电池片的正极导流条与负极导流条通过导电连接带串联形成电池组串;或者电池片的正极导流条与负极导流条分别汇集于电池片对边的正极电流收集条和负极电流收集条,形成指叉状电极结构,相邻电池片的正极电流收集条与负极电流收集条通过导电连接带串联形成电池组串。本发明大大增强了与现
无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法.pdf
本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法,透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上,P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极,N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区,透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极,透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过过孔电极导至电池的背面,背面正极细栅线穿透第一背面钝化膜和第二背面钝化膜与P型基体形成局部欧姆接触,并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。本方法避免了电池正
P型晶体硅双面电池结构及其制作方法.pdf
本发明提供了一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法,电池结构由正面至背面依次包括:正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜;电池正面排布正面负极细栅线收集电子,并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的背面负极主栅线;电池背面的背面正极细栅线和背面正极主栅线分布于过孔电极以外的区域,且背面正极主栅线与背面正极细栅线相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线。
一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构及制作方法.pdf
本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触电池结构及制作方法,从上而下依次包括:透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、金属层和背面正极,P型晶体硅片上设通孔,通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极,N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区,透明导电膜依次穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极接触,将正面汇集的电子导至电池背面,金属层穿透背面钝化膜与P型硅基体形成局部欧姆接触,并与背面正极连接构成电池正极。避免了正面金属电极光遮挡,减少了电池制作过
一种P型硅背接触电池和制备方法.pdf
本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法,属于硅片电池制备技术领域,电池包括:Si衬底,所述Si衬底具体为P型Si衬底;所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层,且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区;第一掺杂硅层,所述第一掺杂硅层设置有若干段,若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上;且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结;第二掺杂硅层,所述第二掺杂硅层设置有若干段,若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内;以及电极,所述电极设置有若干个,且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅