一种P型硅背接触电池和制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115036381A(43)申请公布日2022.09.09(21)申请号202210580755.8(22)申请日2022.05.25(71)申请人浙江求是半导体设备有限公司地址311100浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室(72)发明人王树林曹建伟(51)Int.Cl.H01L31/0352(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种P型硅背接触电池和制备方法(57)摘要本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。CN115036381ACN115036381A权利要求书1/2页1.一种P型硅背接触电池，其特征在于，所述电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂硅层的外围环绕设置有一第二钝化层，所述第二钝化层的外侧面贴合接触在Si衬底、第一掺杂硅层上，通过第二钝化层使得第二掺杂硅层与Si衬底、第一掺杂硅层分隔。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磷扩散层和第一掺杂硅层之间设置有第一钝化层，所述第一钝化层的两端分别和相邻两段第二掺杂硅层外的第二钝化层接触，以包覆第一掺杂硅层。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每段所述磷扩散层的宽度大于空白区的宽度，且第一掺杂硅层的宽度大于第二掺杂硅层的宽度。5.一种P型硅背接触电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：对Si衬底进行基材处理；所述对Si衬底进行基材处理具体包括：Si衬底清洗、制绒；在Si衬底的反面进行磷扩散，形成磷扩散层；在Si衬底的正反两面生成第一钝化层；在反面的第一钝化层上生成第一掺杂硅层；在反面的第二钝化层上生成第二掺杂硅层；在正面的第二钝化层外生成减反射层；在反面的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上形成电极；其中，在形成磷扩散层后依次生成第一钝化层和第一掺杂硅层，并针对性的间隔的去除第一掺杂硅层以形成若干个空白区，且进一步依次去除空白区对应的第一钝化层和磷扩散层，并在空白区内依次生成第二钝化层和第二掺杂硅层。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，生成第一掺杂硅层或第二掺杂硅层的具体方法为：in‑situ掺杂硅沉积的方法；或者，先沉积本征硅，然后掺杂源扩散或离子注入的方法。7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，针对性的间隔的去除第一掺杂硅层以形成若干个空白区的具体方法包括：在反面的第一掺杂硅层外生成第一掩膜层，使得第一掺杂硅层被第一掩膜层掩盖；对第一掩膜层进行局部的刻蚀/腐蚀，使得反面的第一掺杂硅层的局部处于外露状态；腐蚀正反两面的第一掺杂硅层的外露部分，并使得反面的第一掺杂硅层中间生成一空白区。8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂硅层和第二掺杂硅层之间2CN115036381A权利要求书2/2页生成第二钝化层进行分隔，且第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底构成PN结。9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，去除空白区对应的第一钝化层时，同时去除正面的第一钝化层；且在空白区内生成第二钝化层的时，同时在正面、第一掺杂硅层上生成第二钝化层。10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在去除空白区对应的磷扩散层时，一直腐蚀到磷扩散层对应的Si衬底外露。3CN115036381A说明书1/7页一种P型硅背接触电池和制备方法技术领域[0001]本发明涉及硅片电池制备技术领域，尤其涉及一种P型硅背接触电池和制备方法。背景技术[0002]太阳电池作为新的能源替代方案，使用越