无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106997910A(43)申请公布日2017.08.01(21)申请号201710184594.X(22)申请日2017.03.24(71)申请人乐叶光伏科技有限公司地址710199陕西省西安市长安区航天中路388号(72)发明人赵科雄(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人徐文权(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/0216(2014.01)H01L31/042(2014.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图3页(54)发明名称无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法(57)摘要本发明公开了一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构及制作方法，透明导电膜位于正面钝化膜和减反射膜之上，P型晶体硅片上的通孔内设置有用于连接电池正面和背面负极的过孔电极，N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，透明导电膜穿透减反射膜和正面钝化膜与局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过过孔电极导至电池的背面，背面正极细栅线穿透第一背面钝化膜和第二背面钝化膜与P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。本方法避免了电池正极的光遮挡，增加了功率输出，减少了电池制作过程中银浆的耗量，降低了生产成本。CN106997910ACN106997910A权利要求书1/2页1.一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜(1)、减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型层(5)、P型基体(6)、背面钝化膜(7)、背面正极细栅线(8)和背面正极主栅线(9)，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极(10)，所述N型层(5)的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区(4)，所述透明导电膜(1)穿透所述减反射膜(2)和正面钝化膜(3)与所述局部重掺杂N+区(4)及过孔电极(10)的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜(1)用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极(10)导至电池的背面，所述背面钝化膜(7)包括第一背面钝化膜(7-1)和第二背面钝化膜(7-2)，所述背面正极细栅线(8)穿透所述第一背面钝化膜(7-1)和第二背面钝化膜(7-2)与所述P型基体(6)形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线(9)连接在一起构成电池正极。2.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述通孔大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅片，等行距等列距阵列排布，单个所述通孔的直径为100～500um，数量为4×4～10×10个。3.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，所述背面正极细栅线(8)为一组或多组相互平行的线段，所述线段的长度为10～80mm，宽度为30～300um，相邻两个线段之间的间距为1～4mm。4.根据权利要求3所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述背面正极细栅线(8)为铝、银、铜、镍、导电剂或金属合金。5.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述局部重掺杂N+区(4)阵列排布在所述N型层(5)上，所述局部重掺杂N+区(4)的方阻为20～60Ω/□，所述局部重掺杂N+区(4)的阵列图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合。6.根据权利要求5所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，所述类一维图形为线段、虚线段、弧线或栅线状；所述类一维图形的线宽为20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维图形为圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形，所述二维几何图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm。7.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述透明导电膜(1)的厚度为50～500nm；所述减反射膜(2)的厚度为50～100nm；所述正面钝化膜(3)的厚度为5～50nm，所述第一背面钝化膜(7-1)的厚度为5～40nm；所述第二背面钝化膜(7-2)的厚度为50～150nm。8.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述背面正极主栅线(9)相互平行且等间距排布，且与所述背面正极细栅线(8)垂直相交，所述背面正极主栅线(9)的个数为3～15