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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106876492A(43)申请公布日2017.06.20(21)申请号201710184611.X(22)申请日2017.03.24(71)申请人乐叶光伏科技有限公司地址710199陕西省西安市长安区航天中路388号(72)发明人赵科雄(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称P型晶体硅双面电池结构及其制作方法(57)摘要本发明提供了一种P型晶体硅双面电池结构及其制作方法,电池结构由正面至背面依次包括:正面减反射膜、正面钝化膜、N型掺杂层、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜、第二背面钝化膜;电池正面排布正面负极细栅线收集电子,并通过穿透电池片的过孔电极导入电池背面的背面负极主栅线;电池背面的背面正极细栅线和背面正极主栅线分布于过孔电极以外的区域,且背面正极主栅线与背面正极细栅线相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线。CN106876492ACN106876492A权利要求书1/2页1.一种P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,由正面至背面依次包括:正面负极细栅线、正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2)、N型掺杂层(3)、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜(5)、第二背面钝化膜(6)和背面正极细栅线(7);电池正面排布的正面负极细栅线收集电子,并通过穿透电池片的过孔电极(8)导入电池背面的背面负极主栅线;电池背面的背面正极细栅线(7)和背面正极主栅线(9)分布于过孔电极(8)以外的区域,且背面正极细栅线(7)与背面正极主栅线(9)相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线(9)。2.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的正面负极细栅线穿透正面减反射膜(1)及正面钝化膜(2),与N型掺杂层(3)形成欧姆接触,同时与过孔电极(8)熔接,构成电子收集器;背面正极细栅线(7)穿透第一背面钝化膜(5)和第二背面钝化膜(6)与P型晶硅基体(4)形成欧姆接触,同时与背面正极主栅线(9)熔接,构成空穴收集器。3.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的背面正极主栅线(9)的个数为3~15根,单个背面正极主栅线(9)的宽度为0.5~5mm。4.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的背面正极细栅线(7)为一组或多组相互平行的线段,长度为10~80mm,宽度为30~300um,相邻两行线段的间距为1~4mm。5.根据权利要求4所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的背面正极细栅线(7)的材质为铝、银、铜、镍中的一种或多种金属合金。6.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的每一组背面正极细栅线(7)与至少一个背面正极主栅线(9)相交。7.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的过孔电极(8)设置在P型硅片上的通孔中,通孔在厚度方向贯通整个P型硅片,通孔内壁为N型掺杂层(3)和钝化膜;通孔按等行距等列距阵列排布,单个通孔的直径为100~500um,每行或每列数量为4~10个。8.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构,其特征在于,所述的电池片为整片P型单/多晶电池,或分片后的P型单/多电池。9.一种P型晶体硅双面电池结构的制作方法,其特征在于,具体步骤如下:1)在P型硅片上采用激光形成若干相同大小的通孔,通孔在厚度方向贯通整个P型硅片,通孔按等行距等列距阵列排布;2)将P型硅片进行表面织构化处理;3)进行磷掺杂处理,在硅片的正面及通孔壁表层上形成N型掺杂层(3),掺杂后的方阻为40~100Ω/□;4)在通孔及周边区域制作掩膜;5)刻蚀去掉P型硅片正面的磷硅玻璃、背结及掩膜;6)将刻蚀后的P型硅片在退火炉中进行退火处理,在硅片的表面生长一层致密的热氧化硅,同时掺杂层的杂质原子进行再分布;7)在P型硅片的正面及通孔内壁沉积正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2);在P型硅片的背面及通孔内壁沉积第一背面钝化膜(5)、第二背面钝化膜(6);8)采用激光在背面的第二背面钝化膜(6)及第一背面钝化膜(5)上按图形进行开膜,开膜图形为一组或多组相互平行的线段;2CN106876492A权利要求书2/2页9)按如下步骤制作电池电极:①在背面制作过孔电极(8),过孔浆料填满整个通孔,之后烘干;②在背面制作若干相互平行且等间距排布的背面正极主栅线(9),之后烘干;③在背面按图案制作背面正极细栅线(7),每一组背面正极细栅线与至少