用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108206192A(43)申请公布日2018.06.26(21)申请号201711215133.0(22)申请日2017.11.28(30)优先权数据10-2016-01742612016.12.20KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李锺源方政镐(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人康建峰杜诚(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L23/64(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图7页(54)发明名称用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置(57)摘要公开了一种用于显示装置的基板以及包括该基板的显示装置。基板包括：第一薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层；第二薄膜晶体管，其与第一薄膜晶体管间隔开并且包括多晶半导体层；以及包括至少两个存储电极的存储电容器。所述至少两个存储电极中的一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极位于同一平面中且由相同的材料形成，并且所述至少两个存储电极中的另一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源电极和漏电极位于同一平面中且由相同的材料形成。因此，实现了基板的较低功耗和较大面积。CN108206192ACN108206192A权利要求书1/2页1.一种显示装置，包括：基板；在所述基板上的像素，所述像素包括：在所述基板上的第一薄膜晶体管TFT，所述第一TFT包括：第一栅电极；在所述第一栅电极上的层间绝缘膜的至少第一部分；在所述层间绝缘膜的所述第一部分上的第一栅极绝缘膜；以及在所述第一栅极绝缘膜上的由氧化物半导体形成的第一有源层，在所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括：第一存储电极；在所述第一存储电极上的所述栅极绝缘膜的至少第二部分；以及在所述层间绝缘膜的所述第二部分上的第二存储电极，其中，所述第二存储电极与所述第一栅极绝缘膜物理地分离；以及电连接至所述存储电容器的发光器件。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘膜和所述第二存储电极接触所述层间绝缘膜。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一存储电极与所述第一栅电极在同一层中。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述层间绝缘膜由硅氮化物SiNx形成，以及所述第一栅极绝缘膜由硅氧化物SiOx形成。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一TFT还包括电连接至所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及其中，所述第二存储电极与所述第一源电极和所述第一漏电极在同一层中。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一TFT还包括电连接至所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极，以及其中，所述第一源电极或所述第一漏电极接触所述第一栅极绝缘膜的侧表面。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一源电极或所述第一漏电极接触所述第一有源层的侧表面。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括在所述基板上的第二TFT，所述第二TFT包括：由多晶硅形成的第二有源层；在所述第二有源层上的第二栅极绝缘膜的至少第一部分；以及在所述第二栅极绝缘膜的所述第一部分上的第二栅电极，其中，所述第二栅电极与所述第一栅电极在同一层中。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一有源层布置在所述第二有源层上方。10.根据权利要求8所述的显示装置，还包括布置在所述基板的非显示区域中的第三TFT，所述第三TFT包括由多晶Si形成的第三有源层。11.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：栅极驱动单元，其布置在所述非显示区域中以驱动所述基板的显示区域中的栅极线；2CN108206192A权利要求书2/2页数据驱动单元，其布置在所述非显示区域中以驱动所述显示区域中的数据线；以及多路复用器，其用于将来自所述数据驱动单元的数据电压分配给所述数据线，其中，所述第三TFT包括在所述多路复用器和所述栅极驱动单元中的至少一个中。12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一TFT是所述像素的开关TFT，以及其中，所述第二TFT是所述像素的驱动TFT。13.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述存储电容器还包括在所述基板上的第三存储电极以及在所述第三存储电极上的所述第二绝缘膜的至少第二部分。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三存储电极与所述第二有源层在同一层中。15.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述发光器件包括阳极电极、发光堆叠和阴极电极，其中，所述阳极电极与所述第一TFT、所述第二TFT和所述存储电容器交叠。16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光器件包括阳极电极、发光堆叠和阴极电极，其中，所述第二TFT包括电连接至所述第二有源层的漏电极，以