TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110896090A(43)申请公布日2020.03.20(21)申请号201910837242.9(22)申请日2019.09.05(30)优先权数据10-2018-01093442018.09.13KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人吴锦美(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人刘久亮黄纶伟(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图7页(54)发明名称TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置(57)摘要TFT基板以及包括该TFT基板的发光显示装置。一种薄膜晶体管TFT基板包括：TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层由多晶硅制成，垂直堆叠，并使栅极位于两者之间，其中，第一半导体层和第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，第一沟道部分和第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。CN110896090ACN110896090A权利要求书1/2页1.一种TFT基板，该TFT基板包括：TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层、所述栅极和所述第二半导体层垂直地堆叠，并且所述第一半导体层和所述第二半导体层由多晶硅制成，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，并且其中，所述第一沟道部分和所述第二沟道部分中的至少一个在俯视图中具有弯曲结构。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一沟道部分包括沿第一方向延伸的第一沟道部件，以及沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二沟道部件，其中，所述第二沟道部分包括沿所述第一方向延伸并与所述第一沟道部件交叠的第三沟道部件，以及沿与所述第二方向不同的方向延伸的第四沟道部件，其中，所述第一沟道部件和所述第三沟道部件具有相同的沟道长度。3.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第四沟道部件沿与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向延伸。4.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第四沟道部件进一步从所述第三沟道部件沿所述第一方向延伸。5.根据权利要求2所述的TFT基板，其中，所述第二沟道部件和所述第四沟道部件具有相同的沟道长度或不同的沟道长度。6.根据权利要求1所述的TFT基板，该TFT基板还包括：第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一半导体层和所述栅极之间；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层位于所述第二半导体层和所述栅极之间，并且位于所述第一栅极绝缘层上方；钝化层，所述钝化层位于所述第二半导体层上；以及连接电极，所述连接电极位于所述钝化层上，其中，所述连接电极通过在所述钝化层、所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层中的接触孔而与所述第二半导体层的源极部分和漏极部分中的一者以及所述第一半导体层的源极部分和漏极部分中的另一者接触。7.根据权利要求6所述的TFT基板，其中，所述第二半导体层的源极部分和漏极部分中的所述一者在围绕所述接触孔的内表面处与所述连接电极接触。8.根据权利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层分别包括第一轻掺杂漏极部分和第二轻掺杂漏极部分，并且所述第一轻掺杂漏极部分和所述第二轻掺杂漏极部分具有相同的长度或不同的长度。9.根据权利要求1所述的TFT基板，所述TFT基板还包括电极图案，该电极图案位于所述第二半导体层的所述第二沟道部分上并对应于所述第二半导体层的所述第二沟道部分，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上方，并且其中，所述电极图案连接到所述TFT的源极、漏极或所述栅极，或者被施加有来自电源电路的偏置电压。10.一种TFT基板，该TFT基板包括：2CN110896090A权利要求书2/2页TFT，该TFT位于基板上并包括栅极、第一半导体层和第二半导体层，其中，所述第一半导体层、所述栅极和所述第二半导体层垂直地堆叠，并且所述第一半导体层和所述第二半导体层由多晶硅制成，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此串联电连接，并且分别包括第一沟道部分和第二沟道部分，其中，所述第一沟道部分包括沿第一方向延伸的第一沟道部件，以及沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二沟道部件，并且其中，所述第二沟道部分包括沿所述第一方向延伸并且与所述第一沟道部件交叠的第三沟道部件，以及沿与所述第二方向不同的方向延伸的第四沟道部件，并且所述第一沟道部件和所述第三沟道部件具有相同的沟道长度。11.根据权利要求10所述的TFT基板，该TFT基板还包括：第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一