TFT基板和包括该TFT基板的显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110534528A(43)申请公布日2019.12.03(21)申请号201910438971.7(22)申请日2019.05.24(30)优先权数据10-2018-00594622018.05.25KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人申东菜柳元相孙庚模(74)专利代理机构北京鸿元知识产权代理有限公司11327代理人李琳陈英俊(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L27/32(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称TFT基板和包括该TFT基板的显示装置(57)摘要一种TFT基板和包括该TFT基板的显示装置，包括：基板；以及在所述基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：有源图案层，所述有源图案层由多晶硅制成，所述有源图案层包括沟道部分、源极部分和漏极部分，并且所述有源图案层包括在晶粒之间的边界处形成的突起和在所述突起之间形成的凹陷空间；阻挡图案膜，所述阻挡图案膜填充所述凹陷空间，与所述突起一起形成平面；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述阻挡图案膜和所述突起上；栅极，所述栅极在所述栅极绝缘层上，与所述沟道部分相对应；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述栅极绝缘层上，分别与所述源极部分和所述漏极部分接触。CN110534528ACN110534528A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管基板，包括：基板；以及在所述基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：有源图案层，所述有源图案层由多晶硅制成，所述有源图案层包括沟道部分、源极部分和漏极部分，并且所述有源图案层包括在晶粒之间的边界处形成的突起和在所述突起之间形成的凹陷空间；阻挡图案膜，所述阻挡图案膜填充所述凹陷空间，与所述突起一起形成平面；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述阻挡图案膜和所述突起上；栅极，所述栅极在所述栅极绝缘层上，与所述沟道部分相对应；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述栅极绝缘层上，分别与所述源极部分和所述漏极部分接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极绝缘层直接接触所述阻挡图案膜和所述突起。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管进一步包括：钝化层，所述钝化层在所述栅极上并且在所述源极和所述漏极下方，其中，所述钝化层和所述栅极绝缘层包括分别暴露所述源极部分和所述漏极部分的第一接触孔和第二接触孔，并且其中，所述源极部分的在所述第一接触孔下方的部分和所述漏极部分的在所述第二接触孔下方的部分处的所述阻挡图案膜被去除。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极绝缘层的在所述阻挡图案膜和所述突起上的部分是平坦的。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极是平坦的。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅极绝缘层延伸为覆盖所述有源图案层的侧表面。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述基板包括设置有多个像素区域的有源区域，并且其中，所述薄膜晶体管形成在所述多个像素区域中的一个中。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述基板包括围绕所述有源区域的非有源区域，并且其中，另一个薄膜晶体管形成在所述非有源区域中的驱动电路中。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，进一步包括：连接图案层，至少一个绝缘层插设在所述连接图案层与第一金属图案层和第二金属图案层中的每一者之间，所述连接图案层电连接所述第一金属图案层和所述第二金属图案层，所述连接图案层由掺杂有杂质的多晶硅制成并且具有另外的突起和另外的凹陷空间，并且其中，所述连接图案层的所述另外的凹陷空间填充有另外的阻挡图案膜。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，进一步包括：连接所述第一金属图案层和所述连接图案层的第一连接电极；以及2CN110534528A权利要求书2/2页连接所述第二金属图案层和所述连接图案层的第二连接电极，其中，所述连接图案层的在第一连接接触孔下方的部分及所述连接图案层的在第二连接接触孔下方的部分处的所述另外的阻挡图案膜被去除，其中，所述第一连接电极通过所述第一连接接触孔接触所述连接图案层，并且所述第二连接电极通过所述第二连接接触孔接触所述连接图案层。11.一种显示装置，包括：根据权利要求1至10中任一项所述的薄膜晶体管基板。12.根据权利要求11所述的显示装置，进一步包括：第一电极，所述第一电极连接到所述薄膜晶体管的所述漏极；在所述第一电极上的有机发光层；以及在所述有机发光层上的第二电极。13.一种薄膜晶体管，包括：多晶硅层，所述多晶硅层包括沟道部分、源极部分和漏极部分，所述多晶硅层具有在所述多晶硅层的晶粒之间的边界处的突起