一种p型背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108666376A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201810759437.1(22)申请日2018.07.11(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵工业园泰康路8号(72)发明人李华鲁伟明李中兰靳玉鹏(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种p型背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种p型背接触太阳电池及其制备方法，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；n型掺杂膜层间隔设置在p型硅基底表面，相邻的n型掺杂膜层之间设置有本征膜层；n型掺杂膜层和本征膜层呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括第一贯穿区域和第一垂直区域，所述本征膜层包括第二贯穿区域和第二垂直区域；第一贯穿区域和第二贯穿区域相互平行；所述第一垂直区域和第一贯穿区域相互垂直并连接；所述第二垂直区域和第二贯穿区域相互垂直并连接；使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。CN108666376ACN108666376A权利要求书1/2页1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、钝化隧穿层(11)、局域分布的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜(6)和电池电极；所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层(11)上远离p型硅基底(1)一侧的n型掺杂膜层(3)；所述第二膜层区域未进行额外掺杂，所述第二膜层区域包括：钝化隧穿层(11)上远离p型硅基底(1)一侧的本征膜层(5)；所述的第一膜层区域和第二膜层区域呈指状交叉形式交错排列，其中第一膜层区域包括第一贯穿区域(301)和第一垂直区域(302)，所述第二膜层区域包括第二贯穿区域(401)和第二垂直区域(402)；第一贯穿区域(301)和第二贯穿区域(401)相互平行；所述第一垂直区域(302)和第一贯穿区域(301)相互垂直并连接；所述第二垂直区域(402)和第二贯穿区域(401)相互垂直并连接；在第一贯穿区域(301)方向上，所述第一垂直区域(302)和第二垂直区域(402)交错排列；所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；所述正极细栅线(7)置于背面第二膜层区域范围内，并与p型硅基底(1)形成接触；所述负极细栅线(8)置于背面的第一膜层区域范围内，并与第一膜层区域形成接触；负极连接电极(10)设置在第一贯穿区域(301)内；正极连接电极(9)设置在第二贯穿区域(401)内；正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第二膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述钝化隧穿层(11)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种。5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一垂直区域(302)的宽度为0.08～3mm，第二垂直区域(402)的宽度为0.05～1mm。6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成；所述背面的钝化膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。7.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。8.根据权利要求7所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线(7)之间还设置有一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝的电极，正极细栅线(7)的宽度为20um～200um。10.根据