一种p型背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108666377A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201810759465.3(22)申请日2018.07.11(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵工业园泰康路8号(72)发明人李华鲁伟明李中兰靳玉鹏(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种p型背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法，上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、n型异质结区、背面钝化膜和电池电极；n型异质结区自上而下依次为背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层；电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线局域地与p型硅基底形成接触；负极细栅线局域地与n型掺杂膜层形成接触；所述正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。本发明大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。CN108666377ACN108666377A权利要求书1/2页1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面钝化隧穿层(3)、n型掺杂膜层(4)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型掺杂膜层(4)间隔设置在背面钝化隧穿层(3)下表面；所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；正极细栅线(7)与p型硅基底(1)形成接触；负极细栅线(8)与n型掺杂膜层(4)形成接触；所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极(10)导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述背面n型掺杂膜层(4)由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述背面钝化隧穿层(3)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂区域的宽度为0.08～3mm，相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05～1mm。5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)的局部接触区域内设置有一层III族元素掺杂的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。7.根据权利要求5所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线之间还包括一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝的电极，所述正极细栅线(7)的宽度为20um～200um。9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为含银的电极，所述负极细栅线(8)的宽度为10um～100um。10.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)主要导电成分包含银、铜、铝、镍中的一种或多种；所述负极连接电极(10)主要导电成分包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。11.根据权利要求1～10任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)在正极连接电极(9)处分段断开，避免与正极连接电极(9)相连；正极细栅线(7)在负极连接电极(10)处分段断开，避免与负极连接电极(10)相连；正极和负极隔离，互不交叉。12.根据权利要求1～10任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)和负极细栅线(8)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(10)互相隔离，所述负极连接电极(10)和正极细栅线(7)交叉设置，交叉处设置一层绝缘体(10)互相隔离；正极和负极相互绝缘。13.一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)对p型硅基底(1)进行清洗