一种p型背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108666386A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201810760073.9(22)申请日2018.07.11(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵工业园泰康路8号(72)发明人李华鲁伟明李中兰靳玉鹏(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/068(2012.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种p型背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要一种p型背接触太阳电池及其制备方法，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；电池电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线置于本征膜层范围内，且穿过背面钝化膜、本征膜层及钝化隧穿层后与p型硅基底形成接触；负极细栅线穿过背面钝化膜与n型掺杂膜层形成接触；正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。使用了本征膜层进行了隔离，在空间的横向和纵向方向上都没有接触，大大较少了漏电流的产生，提高了可靠性和电池性能表现。CN108666386ACN108666386A权利要求书1/2页1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、钝化隧穿层(3)、间隔排列的第一膜层区域和第二膜层区域、背面钝化膜(6)和电池电极；所述第一膜层区域包括：钝化隧穿层(3)上远离p型硅基底(1)一侧的n型掺杂膜层(5)；所述第二膜层区域未进行额外掺杂，第二膜层区域包括：钝化隧穿层(3)上远离p型硅基底(1)一侧的本征膜层(4)；所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(8)和正极连接电极(10)，所述负极包括负极细栅线(9)和负极连接电极(11)；所述正极细栅线(8)置于第二膜层区域范围内，且穿过背面钝化膜(6)、第二膜层区域及钝化隧穿层(3)后与p型硅基底(1)形成接触；所述负极细栅线(9)置于第一膜层区域范围内，并穿过背面钝化膜(6)与第一膜层区域形成接触；所述正极细栅线(8)与正极连接电极(10)连接，并通过正极连接电极(10)导出电流，所述负极细栅线(9)与负极连接电极(11)连接，并通过负极连接电极(11)导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素；所述第二膜层区域由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述钝化隧穿层(3)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述第一膜层区域的宽度为0.08～3mm，所述第二膜层区域的宽度为0.05～1mm。5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)，采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面的钝化膜，采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。6.权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(8)和p型硅基底(1)之间的局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层(13)，空穴掺杂层(13)的厚度为1～15um。7.根据权利要求6所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(13)和正极细栅线(8)之间还包括一层铝硅合金层(14)，铝硅合金层(14)厚度为1～5um。8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(8)为含铝的电极，所述正极细栅线(8)的宽度为20um～200um。9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(9)包含银的电极，所述负极细栅线(9)的宽度为10um～100um。10.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(10)包含银、铜、铝、镍中的一种或多种，所述负极连接电极(11)包含银、铜、铝、镍中的一种或多种。11.根据权利要求1～10任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(9)在正极连接电极(10)处分段断开，避免与正极连接电极(10)连通；正极细栅线(8)在负极连接电极(11)处分段断开，避免与负极连接电极(11)连通；正极和负极