一种p型背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108666379A(43)申请公布日2018.10.16(21)申请号201810760069.2(22)申请日2018.07.11(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵工业园泰康路8号(72)发明人李华鲁伟明李中兰靳玉鹏(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称一种p型背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、背面钝化隧穿层、n型掺杂膜层、背面钝化膜和电池电极；所述的n型掺杂膜层局域分布在背面钝化隧穿层上；所述n型掺杂膜层和p型硅基底背面的p型区域呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层包括n型贯穿区域和n型垂直区域，所述p型区域包括p型贯穿区域和p型垂直区域；n型贯穿区域和p型贯穿区域相互平行；所述n型垂直区域和n型贯穿区域相互垂直并连接；所述p型垂直区域和p型贯穿区域相互垂直并连接；在n型贯穿区域方向上，所述n型垂直区域和p型垂直区域交错排列；本发明可以提高电池在后期产品的可靠性表现，减少电池组件的工艺难度。CN108666379ACN108666379A权利要求书1/2页1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面钝化隧穿层(11)、n型掺杂膜层(3)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型掺杂膜层(3)局域分布在背面钝化隧穿层(11)上；所述n型掺杂膜层(3)和p型硅基底(1)背面的p型区域(4)呈指状交叉形式交错排列，其中n型掺杂膜层(3)包括n型贯穿区域(301)和n型垂直区域(302)，所述p型区域(4)包括p型贯穿区域(401)和p型垂直区域(402)；n型贯穿区域(301)和p型贯穿区域(401)相互平行；所述n型垂直区域(302)和n型贯穿区域(301)相互垂直并连接；所述p型垂直区域(402)和p型贯穿区域(401)相互垂直并连接；在n型贯穿区域(301)方向上，所述n型垂直区域(302)和p型垂直区域(402)交错排列；所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(11)；负极细栅线(8)与n型掺杂区域的n型垂直区域(302)形成接触；正极细栅线(7)与p型区域(4)的p型垂直区域(402)形成接触；负极连接电极(11)设置在n型贯穿区域(301)内；正极连接电极(9)设置在p型贯穿区域(401)内；正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，负极细栅线(8)与负极连接电极(11)连接，并通过负极连接电极导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述背n型掺杂膜层(3)由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一种或多种组成，并掺杂有V族元素。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述背面钝化隧穿层(11)为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅和非晶硅中的一种。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型垂直区域(302)的宽度为0.08～3mm，所述p型垂直区域(402)的宽度为0.05～1mm。5.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)的局部接触区域内，设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。7.根据权利要求6所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线(7)之间还设置有一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝的电极，极细栅线(7)的宽度为20um～200um。9.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为含银的电极，负极细栅线(8)的宽度为10um～100um。10.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)主要导电成分包含银、铜、铝、