一种p型背接触太阳电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108649078A(43)申请公布日2018.10.12(21)申请号201810760070.5(22)申请日2018.07.11(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵工业园泰康路8号(72)发明人李华李中兰鲁伟明靳玉鹏(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人张弘(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种p型背接触太阳电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种p型背接触太阳电池及其制备方法，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、背面n型局域、背面钝化膜和电池电极；电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线和正极连接电极，负极包括负极细栅线和负极连接电极；正极细栅线局部地与p型硅基底形成接触；负极细栅线局部地与n型掺杂区域形成接触；正极细栅线均与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线均与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。本发明使用了p型片作为电池基底，并且在工艺流程中取消了掺杂p型背面场的过程，从而极大的减少了工艺流程的复杂性，避免了p型背面场掺杂需要的高温复杂处理过程。CN108649078ACN108649078A权利要求书1/2页1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、n型掺杂区域(3)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型掺杂区域(3)间隔排列在所述p型硅基底(1)表面；所述的电池电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；正极细栅线(7)与p型硅基底(1)上p型区域(4)接触；负极细栅线(8)与n型掺杂区域(3)接触；所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极(10)导出电流。2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂区域(3)的宽度为0.08～3mm，相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05～1mm。3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)，采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)之间的p型区域(4)内包含一层III族元素掺杂的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。5.根据权利要求4所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线(7)之间还设置有一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝电极，正极细栅线(7)的宽度为20um～200um。7.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为含银电极，负极细栅线(8)的宽度为10um～100um。8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种；所述负极连接电极(10)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种。9.根据权利要求1～8任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)在正极连接电极(9)处分段断开，避免与正极连接电极(9)相连；正极细栅线(7)在负极连接电极(10)处分段断开避免与负极连接电极(10)相连；正极和负极隔离，互不交叉。10.根据权利要求1～8任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)和负极细栅线(8)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(11)互相隔离，所述负极连接电极(10)和正极细栅线(7)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(11)互相隔离；正极和负极相互绝缘。11.一种p型背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，1)对p型硅基底(1)进行表面织构化处理；2)在p型硅基底(1)背面局部进行n型掺杂；3)在p型硅基底(1)正面进行正面钝化及减反射膜(2)制备，在p型硅基底(1)背面进行背面钝化膜(5)制备；4)进行电极制备：正极细栅线(7)和p型硅基底(1)的p型区域(4)形成接触，负极细栅线2CN108649078A权利要求