X射线检测器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109994495A(43)申请公布日2019.07.09(21)申请号201811591241.2(22)申请日2018.12.25(30)优先权数据10-2017-01814882017.12.27KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人尹载皓朴时亨姜汶秀(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人杜诚刘敏(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)H01L31/0224(2006.01)H01L31/115(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图9页(54)发明名称X射线检测器(57)摘要公开了一种X射线检测器。在一个示例中X射线检测器装置包括开关部分和连接至开关部分的光电检测部分。光电检测部分包括底电极、设置在底电极上方的半导体区域、以及设置在半导体区域上方的顶电极。顶电极的面积小于半导体区域的顶表面的面积。CN109994495ACN109994495A权利要求书1/1页1.一种X射线检测器装置，包括：开关部分；以及连接至所述开关部分的光电检测部分，其中，所述光电检测部分包括底电极、设置在所述底电极上方的半导体区域、以及设置在所述半导体区域上方的顶电极，以及所述顶电极的面积小于所述半导体区域的顶表面的面积。2.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，其中，设置在所述半导体区域上方的所述顶电极的外围比所述半导体区域的外围更靠近所述半导体区域的中心。3.根据权利要求2所述的X射线检测器装置，其中，所述顶电极的外围与所述半导体区域的外围之间的第一长度对应于所述半导体区域的高度。4.根据权利要求2所述的X射线检测器装置，其中，通过将所述顶电极的外围与所述半导体区域的外围之间的第一长度除以所述半导体区域的高度而获得的值在1/1.2至1/0.8的范围内。5.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，其中，所述开关部分包括晶体管，所述晶体管包括源电极、栅电极和漏电极，以及所述底电极连接至所述晶体管的源电极或漏电极。6.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，其中，所述开关部分包括晶体管，所述晶体管包括源电极、栅电极和漏电极，所述X射线检测器装置还包括：数据线电极，其连接至与所述晶体管的漏电极或源电极相连的数据线；以及偏置线电极，其连接至所述顶电极和偏置线，其中，所述数据线电极和所述偏置线电极包含相同的材料。7.根据权利要求6所述的X射线检测器装置，其中，光阻挡膜设置在与所述开关部分的栅电极交叠的位置处。8.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，还包括：偏置驱动器，其连接至所述光电检测部分，并且将偏置电压施加至所述光电检测部分；栅极驱动器，其通过将栅极信号施加至所述开关部分来接通所述开关部分；以及读出集成电路，其接收所述开关部分响应于所述栅极信号而输出的信号，并且生成图像信号。9.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，其中，所述顶电极包括透明电极。10.根据权利要求1所述的X射线检测器装置，其中，所述半导体区域的顶部的一部分被所述顶电极覆盖，并且所述半导体区域的侧壁以选自下述角度的角度朝向所述底电极延伸：相对于水平线的直角、相对于垂直线的锐角、以及相对于垂直线的钝角。2CN109994495A说明书1/7页X射线检测器[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2017年12月27日在韩国提交的韩国专利申请第10-2017-0181488号的优先权，通过引用将其并入本文，如同在本文中完全阐述一样。技术领域[0003]示例性实施方式涉及一种X射线检测器。背景技术[0004]根据在医学应用中广泛使用的X射线诊断方法，使用X射线检测胶片来拍摄图像，并且必须花费用于胶片印刷的一段预定时间来获得图像拍摄的结果。[0005]然而，近来，由于半导体技术的快速发展，已经对使用薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器(DXD)进行了研究和开发。由于TFT用作开关装置，因此一旦拍摄X射线图像，这种数字X射线检测器就可以实时提供诊断的结果。[0006]通常，X射线检测器是通过检测面板内的电流来生成图像的直接式(direct-type)数字X射线检测器。直接式数字X射线检测器包括在TFT阵列基板的顶层上层叠的非晶硒(Se)层上制造的透明电极。TFT的像素电极可以检测与Se层接收的电荷的程度相对应的电流的量。此外，直接式数字X射线检测器使用p-本征(intrinsic)-n(PIN)二极管。在直接式数字X射线检测器中，PIN二极管的漏电流的增大将会造成图像质量的降低。[0007]在PIN二极管中，其电极配置对漏电流特性敏感。特别地，电场可以根据PIN二极管的侧壁的斜坡形状而显著地变化。当PIN二极管的侧壁的斜坡形状改变时